Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Голосование | Топ-лист | Дискуссия Rambler's Top100

TopList Яндекс цитирования

НОВОСТИ
"РУССКОГО ПЕРЕПЛЕТА"

ЛИТЕРАТУРА

Новости русской культуры

Афиша

К читателю

Содержание

Публицистика

"Курск"

Кавказ

Балканы

Проза

Поэзия

Драматургия

Искания и размышления

Критика

Сомнения и споры

Новые книги

У нас в гостях

Издательство

Книжная лавка

Журнальный зал

ОБОЗРЕНИЯ

"Классики и современники"

"Слово о..."

"Тайная история творений"

"Книга писем"

"Кошачий ящик"

"Золотые прииски"

"Сердитые стрелы"

КУЛЬТУРА

Афиша

Новые передвжиники

Фотогалерея

Музыка

"Неизвестные" музеи

Риторика

Русские храмы и монастыри

Видеоархив

ФИЛОСОФИЯ

Современная русская мысль

Искания и размышления

ИСТОРИЯ

История России

История в МГУ

Слово о полку Игореве

Хронология и парахронология

Астрономия и Хронология

Альмагест

Запечатленная Россия

Сталиниана

ФОРУМЫ

Дискуссионный клуб

Научный форум

Форум "Русская идея"

Форум "Курск"

Исторический форум

Детский форум

КЛУБЫ

Пятничные вечера

Клуб любителей творчества Достоевского

Клуб любителей творчества Гайто Газданова

Энциклопедия Андрея Платонова

Мастерская перевода

КОНКУРСЫ

За вклад в русскую культуру публикациями в Интернете

Литературный конкурс

Читательский конкурс

Илья-Премия

ДЕТЯМ

Электронные пампасы

Фантастика

Форум

АРХИВ

Текущий

2003

2002

2001

2000

1999

Фотоархив

Все фотоматериалы


Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

20.04.2015
21:27

Disney Research создала 3D-принтер, печатающий тканью

20.04.2015
21:06

Минкомсвязь России разрабатывает информационную систему управления городским пассажирским транспортом

20.04.2015
18:31

Ученые обнаружили область Вселенной без звезд и галактик

20.04.2015
18:29

Немцы создали световой переключатель из одной молекулы

20.04.2015
16:53

Движущая сила закона Мура

    В ходе встречи с выпускниками вузов Брайан Кржанич (Brian Krzanich), главный исполнительный директор Intel, посоветовал будущим профессионалам подготовить для себя план развития карьеры на ближайшие пять лет. Он рассказал, что когда начал работать в Intel, то поставил перед собой задачу стать директором одной из фабрик корпорации. Он знал, что для этого ему нужно освоить все тонкости технологического процесса.

    Фотолитография — самый дорогостоящий этап технологического процесса производства микросхем, на долю которого приходятся от 40% до 50% расходов. Но, что более важно, этот процесс подразумевает реализацию минимальных допустимых размеров топологических элементов на подложке, что создает целый ряд сложностей при массовом производстве. Способность инженеров и специалистов Intel создавать все более миниатюрные транзисторы имела критически важное значение для реализации закона Мура. Но недостаточно решить только вопросы, связанные с уменьшением размеров. Важно сохранить расходы на приемлемом уровне, так как если у вас не получится разместить в два раза больше транзисторов на кристалле при одинаковом уровне расходов, то это будет уже не закон Мура.

    Отдельные участки подложки, покрытой фоторезистом, подвергаются воздействию ультрафиолета для растворения «резиста». В роли трафаретов, рисунок которых копируется на кристалл, выступают маски. Рисунок оптически уменьшается с помощью линзы, и инструмент воздействия ультрафиолетовым светом повторяет этот процесс несколько раз для того, чтобы создать конечный рисунок.

    1. Основной процесс

    В фотолитографии используются так называемые «сканеры» для импринтинга определенной схемы на каждом кристалле. На поверхность подложки методом центрифугирования наносится светочувствительный и стойкий к травлению материал, который называется «фоторезист», который затем застывает. Дальнее ультрафиолетовое излучение (длина волны 193 нм), создаваемое лазером на фториде аргона, проходит через трафарет (маску). Размеры уменьшаются с помощью линзы, и осуществляется печать структуры схемы. Области фоторезиста, которые подверглись воздействию излучения, растворяются. Химический процесс оставляя рисунок заданный маской.

    2. Метод оптического подсчета Стретта

    Джон Уильям Стретт (1842-1919 гг.), третий барон Рэлей, получил в 1904 г. Нобелевскую премию за открытие аргона. Но специалисты ценят его за изобретение метода оптического подсчета, который может использоваться при современном производстве полупроводниковой продукции. (На самом деле, компания ASML назвала Стретта одним из двух отцов-основателей фотолитографии наряду с Гордоном Муром.) Формула соотносит длину волны света (меньше – лучше) и апертуру линзы сканера (больше – лучше; мы недавно достигли предельного значения) по отношению к размеру топологического элемента. В уравнении Стретта предусмотрена постоянная k1, которая позволяет понять, насколько трудным является обеспечение достаточного уровня качества при производстве. При 0,3 и менее оно будет связано с большими сложностями и расходами.

    3. Подводная фотосъемка

    Если вы поместите соломинку в стакан с водой, вам покажется, что она имеет небольшой излом. Эта иллюзия лучше проявляется в воде, чем на воздухе, и называется рефракцией. При 32 нм инженеры пришли к выводу, что по стоимости и другим факторам целесообразно создать новое решение, поэтому Intel перешла на технологию иммерсионной литографии. В этом процессе воздушное пространство между линзой и подложкой заполняется водой. С учетом более высокого коэффициента преломления воды сканер может создавать более миниатюрные элементы без изменения размеров линзы. Внедрив этот процесс позднее конкурентов, Intel смогла сэкономить и воспользоваться их наработками. Для иммерсионной литографии требуются другие фоторезисты. Кроме того, вода двигается. (Просто попробуйте добиться высокого качества изображения с помощью экшн-камеры, размещенной под водой в бурном потоке.)

    Мы не можем в деталях показать оборудование, которое используется на ультрасовременных фабриках Intel, но можем сказать, что лампы желтого цвета защищают фоторезист от нежелательного воздействия ультрафиолета.

    4. Один, два, три слоя

    Итак, нам удалось продлить актуальность 193-нанометровой длины волны для создания 32-нанометровых процессоров и последующих поколений с помощью иммерсионной литографии. Но что будет дальше? Когда вы хотите еще больше уменьшить размеры микросхем, вы можете нанести рисунок одного и того же слоя два, три или больше раз для того, чтобы реализовать новые функциональные возможности на кристалле. Такой подход связан с дополнительными расходами, т.к. он подразумевает больше производственных операций, но не настолько, чтобы не соответствовать кривой затрат, предусмотренной законом Мура.

    5. Необычные формы

    Вы думаете, что можно просто нарисовать крест на маске, чтобы напечатать крест на подложке, используя 14-нанометровую технологию? Это не так. Согласно Вивеку Сингху (Vivek Singh), руководителю направления литографии в Technology & Manufacturing Group, сегодня для этого может потребоваться нарисовать звезду. «Трудно угадать, как должен выглядеть рисунок маски», – сказал он. Двадцать лет назад специалисты в области вычислительной литографии выступали в качестве простых консультантов, а сейчас они стали правой рукой руководителей производств. Инженеры команды Сингха предъявляют большие требования к вычислительным ресурсам серверного парка корпорации, что связано с большим объемом обрабатываемых данных, необходимых для создания современных масок.

    6.Конец уже близок?

    Чтобы двигаться дальше, необходимо использовать излучение длиной волны менее 193 нм. Но это уже ЭУФ-литография (экстремальный ультрафиолет) с длиной волны 135 нм. ЭУФ-инструменты позволяют сделать больше операций за один проход по сравнению с современными сканерами. Хотя технология продолжает развиваться, это происходит достаточно медленно в связи с целым рядом трудностей. Требуются новые установки, вакуумные системы и различные материалы для масок и фоторезиста. Кроме того, появляются и другие сложности, например, уменьшение «неровности ширины линии» вместо уменьшения «неровности края линии». Источник излучения сейчас является основной проблемой полупроводников отрасли: для обработки большого количества подложек его мощность должна быть весьма велика. Кроме того, необходимо удешевить ЭУФ-технологию в целом.

    7. Будущее закона Мура

    Современная фотолитография представляет собой сочетание всех технологий, доступных сегодня, завтра и через десять лет. Каждый метод используется там, где он обеспечивает максимальную экономическую эффективность. Кроме того, разрабатываются и другие технологии, которые на данный момент выглядят футуристично. С помощью технологии Multiple Electron-Beam Direct Write (MEBDW) когда-нибудь в будущем миллиарды лучей будут создавать транзисторы на кристалле, тогда как технология Directed Self-Assembly (DSA) подразумевает полный контроль над атомами, которые будут образовывать миллиарды нанометровых транзисторов.

    Обозрение "Terra & Comp".

Выскажите свое мнение на:

20.04.2015
16:50

50-ая годовщина закона Мура

20.04.2015
16:47

Гордон Мур о законе Мура

20.04.2015
16:41

Астрономы сфотографировали ближайшего двойника Солнечной системы

20.04.2015
14:34

Япония запланировала полет на Луну

20.04.2015
14:31

Исследование нефтегазовой отрасли показало ее готовность к цифровым трансформациям на основе Всеобъемлющего Интернета

20.04.2015
14:28

Парадокс влияния ИКТ на рост и неравенство

20.04.2015
13:06

Деятельность живых организмов назвали причиной роста континентов

20.04.2015
13:03

Ученые нашли самый богатый бактериями народ

20.04.2015
08:58

Американский космический грузовик "Дрэгон" пристыковался к МКС

19.04.2015
18:41

Орбитальный мусор будут расстреливать лазерами

19.04.2015
18:24

Японцы разогнали поезд-маглев до 590 км/ч

19.04.2015
18:06

В мире за год выбросили 300 тонн золота

19.04.2015
16:04

Дебют Ивана Розанова в Русском переплёте.

19.04.2015
13:12

Российские археологи раскопали в Египте стену древней столицы

19.04.2015
12:55

Два рассказа Натальи Рожковой

<< 1151|1152|1153|1154|1155|1156|1157|1158|1159|1160 >>

НАУКА

Новости

Научный форум

Почему молчит Вселенная?

Парниковая катастрофа

Хронология и парахронология

История и астрономия

Альмагест

Наука и культура

2000-2002
Научно-популярный журнал Урания в русском переплете
(1999-200)

Космические новости

Энциклопедия космонавтика

Энциклопедия "Естествознание"

Журнальный зал

Физматлит

News of Russian Science and Technology

Научные семинары

НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах"

"TERRA & Comp"

"Неизбежность странного микромира"

"Биология и жизнь"

ОБРАЗОВАНИЕ

Открытое письмо министру образования

Антиреформа

Соросовский образовательный журнал

Биология

Науки о Земле

Математика и Механика

Технология

Физика

Химия

Русская литература

Научная лаборатория школьников

КОНКУРСЫ

Лучшие молодые
ученые России

Для молодых биологов

БИБЛИОТЕКИ

Библиотека Хроноса

Научпоп

РАДИО

Читают и поют авторы РП

ОТДЫХ

Музеи

Игры

Песни русского застолья

Народное

Смешное

О НАС

Редколлегия

Авторам

О журнале

Как читать журнал

Пишут о нас

Тираж

РЕСУРСЫ

Поиск

Проекты

Посещаемость

Журналы

Русские писатели и поэты

Избранное

Библиотеки

Фотоархив

ИНТЕРНЕТ

Топ-лист "Русского переплета"

Баннерная сеть

Наши баннеры

НОВОСТИ

Все

Новости русской культуры

Новости науки

Космические новости

Афиша

The best of Russian Science and Technology

 

 


Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

Редколлегия | О журнале | Авторам | Архив | Ссылки | Статистика | Дискуссия

Галерея "Новые Передвижники"
Пишите

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Русский Переплет
Rambler's Top100 TopList