Новости науки "Русского переплета"

TERRA & Comp
С 07 августа 2003 года обозрение ведет Александр Семенов
До 10.07.2002 вел Кирилл Крылов

НАУКА

Новости

Научный форум

Космические новости

Энциклопедия космонавтика

Энциклопедия "Естествознание"

Журнальный зал

Физматлит

News of Russian Science and Technology

Научные семинары

Почему молчит Вселенная?

Парниковая катастрофа

Кто перым провел клонирование?

Хронология и парахронология

История и астрономия

Альмагест

Наука и культура

Журналы в сети:

Nature

Успехи физических наук

New Scientist

ScienceDaily

Discovery

ОБРАЗОВАНИЕ
Открытое письмо министру образования
Антиреформа
Соросовский образовательный журнал
Биология
Науки о Земле
Математика и Механика
Технология
Физика
Химия
Русская литература

КОНКУРСЫ

Для молодых биологов

БИБЛИОТЕКИ
Библиотека Хроноса
Научпоп

РАДИО
Читают и поют авторы РП

ОТДЫХ
Музеи
Игры
Песни русского застолья
Народное
Смешное

О НАС
Редколлегия
Авторам
О журнале
Как читать журнал
Пишут о нас
Тираж

РЕСУРСЫ

Поиск
Проекты
Посещаемость
Журналы
Русские писатели и поэты
Избранное
Библиотеки
Фотоархив

ИНТЕРНЕТ

Топ-лист "Русского переплета"
Баннерная сеть
Наши баннеры

НОВОСТИ

Все
Новости русской культуры
Новости науки
Космические новости
Афиша
The best of Russian Science and Technology

"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от 5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна. Тип запроса: "И" "Или"
14.01.2005 12:23	Женщины, технологии и стиль жизни Похоже, монополия мужчин на право с важным видом рассуждать о тех или иных технологических инновациях скоро исчезнет - армия современных амазонок, перешедших на . . .
14.01.2005 12:21	IDC: 2005 - год мобильности в Европе В соответствии с последними данными IDC, ведущей исследовательской и консалтинговой компании в области информационных технологий, Европа занимает первое место в . . .
13.01.2005 15:51	Дубна - это наша Силиконовая долина Первые 100 программистов приняты на работу в Технопарк, который создается в подмосковной Дубне. По замыслу подобный научный центр должен стать аналогом . . .
12.01.2005 11:32	Снова призрак коммунизма, на этот раз - цифрового С наступлением нового года производители потребительской электроники поспешили представить массу новинок, а также рассказать о своем видении ситуации на рынке . . .
12.01.2005 11:29	Опять Пангея В недалеком, по геологическим меркам, будущем, все континенты и острова Земли могут слиться. Недавнее землетрясение в Юго-Восточной Азии доказывает, что . . .
12.01.2005 11:26	Новая платформа Intel для малого и среднего бизнеса Корпорация Intel представила новую вычислительную платформу для обеспечения упрощения администрирования и управления компьютерами и приложениями в компьютерных . . .
11.01.2005 16:02	Китай запустил Интернет нового поколения Китайское правительство объявило о запуске в стране первой магистральной сети, работающей по интернет-протоколу нового поколения IPv6. Китайская образовательная . . .
11.01.2005 15:43	Каждый двенадцатый россиянин в Интернете 29 декабря 2004 года состоялась пресс-конференция министра информационных технологий и связи Л. Реймана, в ходе которой он рассказал об итогах развития отрасли в 2004 . . .
11.01.2005 15:41	Китай - лидер по мобильникам На сегодняшний день Китай занимает первое место в мире по количеству пользователей мобильной связью. А уже в 2005 году за ним уж точно не угонится ни одна страна, т.к . . .
11.01.2005 15:39	Луна и землетрясения Луна может провоцировать крупные землетрясения. К такому выводу пришли японские и американские ученые, которые провели анализ многочисленных колебаний земной . . .
11.01.2005 15:38	Десять главных научных открытий года Крупнейший американский научный журнал Science опубликовал список десяти самых важных научных открытий уходящего года: 1. Вода на Марсе По единодушному мнению . . .
27.12.2004 13:04	Мобильные операторы плохо считают... Как сообщает газета "Ведомости", в России абонентов сотовой связи на 16-24 млн меньше, чем утверждают операторы. Такой неожиданный вывод делают аналитики, сравнивая . . .
27.12.2004 12:38	Атомные часы на руке Скоро атомные часы станут настолько малы, что их можно будет носить на руке. Ученые из Национального института стандартов и технологии в Колорадо изобрели новое . . .
27.12.2004 12:37	Радиоэтикетки на старте В крупнейшей в мире сети супермаркетов Wal-Mart с января 2005 г. начнется использование радиочастотных этикеток (RFID). Такие компании, как Gillette, Kraft Foods и Procter & Gamble . . .
24.12.2004 11:21	Бактерии - сборщики компьютеров Комплектующие для оптических компьютеров нового поколения можно создавать с помощью микробов. Исследователи университета Техаса провели первый успешный . . .
24.12.2004 11:17	Нас всех учтут Правительство РФ поручит Мининформсвязи России разработать в 1 квартале 2005 г. план действий по созданию системы персонального учета населения страны, сообщает . . .
24.12.2004 11:14	За многоядерными процессорами будущее Ведущие производители полупроводников переводят свои продукты на многоядерную архитектуру. У корпорации Intel, например, в недалеком будущем процессоры с двумя . . .
24.12.2004 11:12	Главные события года на рынке ИТ-2004 По мнению экспертов сайта cnews.ru, 2004 год для мирового ИТ-рынка был очень насыщен событиями. Он стал настоящим <звездным часом> для Google, цифровой музыки, беспроводных . . .
23.12.2004 14:59	На пути к российским микросхемам Как сообщает газета "Известия", возможно, уже через три года в России наконец-то будут делать микросхемы и детали для микромеханических систем, способные работать в экстремальных условиях. То есть при повышенной температуре и наличии радиации. Впрочем, и в обычной жизни такие микросхемы будут работать куда лучше. Потому что новая технология позволит сделать подложки микросхем значительно тоньше и, следовательно, избавиться от "лишних" носителей заряда, пользы от которых - никакой, а вреда - много. Суть в том, что полупроводниковая подложка, необходимая микросхеме для нормальной работы, должна быть довольно тонкой - десять, иногда двадцать микрон. Но иметь дело с такими тонкими подложками было бы очень неудобно - слишком уж они хрупкие. Вот и приходится делать их в десятки раз толще, уже в сотни микрон. Эти-то кремниевые "пьедесталы" и приводят к проблемам: чем больше массив кремния под микросхемой, тем больше в нем носителей зарядов, то есть электронов и дырок. А от них и помехи, тормозящие работу микросхемы, и дефекты, которые возникают при высокой температуре и ионизирующем излучении. Значит, надо как-то от "лишнего" кремния под микросхемой избавиться. Например, отделить микросхему на тонкой подложке от основного массива кремния, столь милого сердцу технолога, слоем изолятора. Вот такими структурами типа "кремний на изоляторе" и готовы обеспечить отечественную микроэлектронику российские специалисты - сотрудники Московского государственного института электронной техники и их коллеги из Новосибирска, Брянска и Москвы. Технология, которую они разработали, во-первых, не очень сложна, а во-вторых, обходится гораздо дешевле, чем импортные аналоги. Проект поддержал Фонд содействия развитию МП НТС. Делать такие трехслойные (кремний-диэлектрик-кремний) заготовки для микросхем авторы предлагают следующим образом. Оба слоя кремния, то есть и "пьедестал", и будущую подложку для будущей микросхемы надо положить в плазменную высокочастотную индукционную установку. Туда же - порошок оксидов кремния и некоторых других элементов (каких - это секрет). В плазме оксиды нагреваются, плавятся, испаряются, а потом осаждаются на поверхности кремниевых пластинок. Получаются мельчайшие капельки нового материала, похожего на жидкое стекло, состав которого определяется составом исходной смеси оксидов. Это и есть будущий изолирующий слой. Остывая, капельки превращаются в частицы размером 50-100 нм (десять в минус девятой степени метров), равномерным слоем покрывая поверхность пластинок кремния. Толщину слоя легко регулировать количеством исходной шихты, так что он может быть и толстым, и тонким - в зависимости от предназначения заготовки. Затем пластины соединяют "лицом", то есть осевшим материалом друг к другу, после чего отжигают несколько минут. Частички плавятся и разделяют пластины кремния слоем изолятора. Затем оставляют слой подложки для будущей микросхемы необходимой толщины, а остальное удаляют шлифовкой и полировкой. Что и требовалось получить. - Самое главное во всей технологии - это как раз материал диэлектрика, - рассказывает руководитель проекта Виктор Калугин. - Трудно было найти такой состав, чтобы материал был одновременно прочным, химически стойким, хорошо прилипал к кремнию и не загрязнял его - ведь даже отдельные посторонние атомы принципиально ухудшают качество микросхем. А чтобы вся структура не деформировалась и не трескалась при перепадах температуры, коэффициент температурного расширения изолятора должен быть таким же, как у кремния. На создание материала - стекловидного диэлектрика с заданными свойствами - ушел не один год. Сначала исследованиями руководила профессор Валентина Петрова, теперь работу возглавляет профессор Сергей Тимошенков. Сейчас материал есть, и первые опытные образцы структур кремния на изоляторе уже получены и испытаны. Их качество по крайней мере не хуже, чем у импортных аналогов, а при массовом производстве, даже мелкосерийном, они будут и более дешевыми. Освоить же промышленное производство таких структур вполне реально.
23.12.2004 14:56	Совсем крошечная память Cколько электронов потребуется для сохранения 1 бита информации в микросхемах флэш-памяти? Разработчики из компании Infineon cчитают, что для этого достаточно 100 . . .