Портал | Содержание | О нас | Пишите | Новости | Голосование | Топ-лист | Дискуссия Rambler's Top100

TopList Яндекс цитирования

НОВОСТИ
"РУССКОГО ПЕРЕПЛЕТА"

ЛИТЕРАТУРА

Новости русской культуры

Афиша

К читателю

Содержание

Публицистика

"Курск"

Кавказ

Балканы

Проза

Поэзия

Драматургия

Искания и размышления

Критика

Сомнения и споры

Новые книги

У нас в гостях

Издательство

Книжная лавка

Журнальный зал

ОБОЗРЕНИЯ

"Классики и современники"

"Слово о..."

"Тайная история творений"

"Книга писем"

"Кошачий ящик"

"Золотые прииски"

"Сердитые стрелы"

КУЛЬТУРА

Афиша

Новые передвжиники

Фотогалерея

Музыка

"Неизвестные" музеи

Риторика

Русские храмы и монастыри

Видеоархив

ФИЛОСОФИЯ

Современная русская мысль

Искания и размышления

ИСТОРИЯ

История России

История в МГУ

Слово о полку Игореве

Хронология и парахронология

Астрономия и Хронология

Альмагест

Запечатленная Россия

Сталиниана

ФОРУМЫ

Дискуссионный клуб

Научный форум

Форум "Русская идея"

Форум "Курск"

Исторический форум

Детский форум

КЛУБЫ

Пятничные вечера

Клуб любителей творчества Достоевского

Клуб любителей творчества Гайто Газданова

Энциклопедия Андрея Платонова

Мастерская перевода

КОНКУРСЫ

За вклад в русскую культуру публикациями в Интернете

Литературный конкурс

Читательский конкурс

Илья-Премия

ДЕТЯМ

Электронные пампасы

Фантастика

Форум

АРХИВ

Текущий

2003

2002

2001

2000

1999

Фотоархив

Все фотоматериалы


Новости
"Русский переплет" зарегистрирован как СМИ. Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.

Тип запроса: "И" "Или"

19.04.2015
18:41

Орбитальный мусор будут расстреливать лазерами

19.04.2015
18:24

Японцы разогнали поезд-маглев до 590 км/ч

19.04.2015
18:06

В мире за год выбросили 300 тонн золота

19.04.2015
16:04

Дебют Ивана Розанова в Русском переплёте.

19.04.2015
13:12

Российские археологи раскопали в Египте стену древней столицы

19.04.2015
12:55

Два рассказа Натальи Рожковой

18.04.2015
23:31

Аналог Кремниевой долины в Крыму пообещали построить за пять лет

18.04.2015
21:28

УЧЕНЫЕ-ОЛИГАРХИ

18.04.2015
17:02

TSMC раскрывает детали о 10-нм технологическом процессе

    Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. рассказала новые подробности о своём 10-нм технологическом процессе на организованном симпозиуме в США. Заявленные показатели для техпроцесса оказались чуть менее амбициозными, чем обсуждаемые, однако, основным направлением улучшений является увеличение плотности размещения транзисторов по сравнению с новейшими технологиями компании.

    Технологический процесс 10 нм TSMC (CLN10FF) увеличит плотность транзисторов на 110 % по сравнению с технологией 16 нм FinFET+ (CLN16FF+), согласно данным TSMC. По сравнению с наиболее продвинутой версией 16-нм техпроцесса TSMC, частотный потенциал CLN10FF вырастет на 20 % при неизменном энергопотреблении, а потребление энергии упадёт на 40 % при аналогичной сложности и тактовой частоте чипа.

    Разработка 10-нм технологии производства микросхем проходит по плану; на своём симпозиуме TSMC продемонстрировала 300-мм подложку с 256-Мбайт интегральными схемами памяти SRAM, обработанную по указанному техпроцессу. Поскольку 16-нм нормы производства TSMC используют межблочные соединения, изолирующие слои и контакты от 20-нм техпроцесса, то и размеры микросхем, произведённых по CLN16FF/CLN16FF+, аналогичны размерам чипов, созданных по технологии 20 нм (CLN20SOC). 16-нм техпроцессы TSMC используют более продвинутые транзисторы с вертикально расположенным затвором (fin field effect transistor, FinFET), что увеличивает частотный потенциал и уменьшает энергопотребление произведённых интегральных схем. Однако себестоимость микросхем, произведённых по 16-нм технологиям в пересчёте на чип и на транзистор, выше, чем у чипов, созданных по 20-нм техпроцессу.

    Учитывая особенности 16-нм технологий TSMC, а также ценообразования компании, основной задачей 10-нм процесса является увеличение плотности транзисторов на квадратный миллиметр площади. Последнее снизит себестоимость микросхем в пересчёте на единицу продукции и на транзистор. Хотя увеличение плотности на 110 % (более чем в два раза) очень хороший результат, это ниже, чем увеличение в 2,25 раза, которое озвучивалось прошлым летом. Изменение некоторых характеристик технологического процесса говорит о том, что разработка всё еще идёт.

    В ближайшие кварталы TSMC планирует установить оборудование для опытного производства микросхем с использованием 10-нм технологии в одном из существующих производственных комплексов. Пробное производство планируется начать в последней четверти 2015 года. Во втором квартале 2016 компания планирует приступить к строительству полностью новой фабрики, которая впоследствии будет производить интегральные схемы по технологии 10 нм. Ожидается, что 10-нм техпроцесс станет применяться для массового производства микросхем в 2017 г.

    Ранее в этом году TSMC сообщила, что 10-нм технологический процесс станет долгожителем и будет использован для производства самых разных микросхем долгие годы.

    Примечательно, что компания TSMC не стала рассказывать, какие преимущества получат 10-нм микросхемы, если ей удастся внедрить использование литографических сканеров, работающих в диапазоне EUV (extreme ultraviolet — излучение с длиной волны 13,5 нм). По всей видимости, ситуация с доступностью EUV-сканеров, экономически эффективных для массового производства интегральных схем, пока остаётся неясной.

    По информации http://www.3dnews.ru/news/912538?ext=subscribe&source=subscribeRu

    Обозрение "Terra & Comp".

Выскажите свое мнение на:

18.04.2015
16:46

"Цепляет?" - новое в литературном обозрении Соломона Воложина

18.04.2015
16:45

IBM и Fujifilm разработали ленточный привод, способный хранить 220 Тбайт данных

18.04.2015
16:38

Apple поможет IBM совершить революцию в сфере здравохранения

18.04.2015
16:33

У кометы Чурюмова-Герасименко не выявлено своего магнитного поля

18.04.2015
16:24

Итальянец проживет год в сфере ради изучения айсбергов

18.04.2015
16:13

Четыре спутника смогут обеспечить устойчивой связью Арктическую зону России к 2021 году

18.04.2015
16:11

РСК расширила суперкомпьютерный комплекс в МСЦ РАН новым решением МВС-10П МП

18.04.2015
16:03

17 апреля в истории: первый серийный компьютер Apple, первый вертолёт-амфибия и аутентификация в системе по венам на ладони

18.04.2015
15:14

Высокотехнологические тренды

18.04.2015
15:07

Электронные книги и песни будут передавать запахи

18.04.2015
15:05

Одиноким пенсионерам поможет робот-собеседник, разработанный в "Сколково"

<< 1131|1132|1133|1134|1135|1136|1137|1138|1139|1140 >>

НАУКА

Новости

Научный форум

Почему молчит Вселенная?

Парниковая катастрофа

Хронология и парахронология

История и астрономия

Альмагест

Наука и культура

2000-2002
Научно-популярный журнал Урания в русском переплете
(1999-200)

Космические новости

Энциклопедия космонавтика

Энциклопедия "Естествознание"

Журнальный зал

Физматлит

News of Russian Science and Technology

Научные семинары

НАУЧНЫЕ ОБОЗРЕНИЯ

"Физические явления на небесах"

"TERRA & Comp"

"Неизбежность странного микромира"

"Биология и жизнь"

ОБРАЗОВАНИЕ

Открытое письмо министру образования

Антиреформа

Соросовский образовательный журнал

Биология

Науки о Земле

Математика и Механика

Технология

Физика

Химия

Русская литература

Научная лаборатория школьников

КОНКУРСЫ

Лучшие молодые
ученые России

Для молодых биологов

БИБЛИОТЕКИ

Библиотека Хроноса

Научпоп

РАДИО

Читают и поют авторы РП

ОТДЫХ

Музеи

Игры

Песни русского застолья

Народное

Смешное

О НАС

Редколлегия

Авторам

О журнале

Как читать журнал

Пишут о нас

Тираж

РЕСУРСЫ

Поиск

Проекты

Посещаемость

Журналы

Русские писатели и поэты

Избранное

Библиотеки

Фотоархив

ИНТЕРНЕТ

Топ-лист "Русского переплета"

Баннерная сеть

Наши баннеры

НОВОСТИ

Все

Новости русской культуры

Новости науки

Космические новости

Афиша

The best of Russian Science and Technology

 

 


Если Вы хотите стать нашим корреспондентом напишите lipunov@sai.msu.ru

 

Редколлегия | О журнале | Авторам | Архив | Ссылки | Статистика | Дискуссия

Галерея "Новые Передвижники"
Пишите

© 1999, 2000 "Русский переплет"
Дизайн - Алексей Комаров

Русский Переплет
Rambler's Top100 TopList