Новости "Русский переплет" зарегистрирован как СМИ.
Свидетельство о регистрации в Министерстве печати РФ: Эл. #77-4362 от
5 февраля 2001 года. При полном или частичном использовании
материалов ссылка на www.pereplet.ru обязательна.
Исследователи корпорации Intel разработали новые материалы, призванные заменить используемые для производства полупроводниковых компонентов уже более 30 лет. Это событие стало революционным достижением для отрасли, заинтересованной в снижении токов утечки в условиях, когда в крошечные полупроводниковые кристаллы "упаковывается" все больше и больше транзисторов. Исследователи Intel создали транзисторы с рекордными параметрами производительности с использованием нового диэлектрика затвора с высокой диэлектрической проницаемостью и новых сплавов для производства затвора транзистора. Затвор - это электрод транзистора, управляющий его включением и выключением, а диэлектрик затвора - это тонкая изоляционная пленка под затвором. В совокупности новые материалы позволяют радикально снизить утечки тока, вызывающие сокращение времени автономной работы и порождающие нежелательное тепловыделение. По данным корпорации Intel, новый диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью позволяет снизить ток утечки более чем в 100 раз, по сравнению с диоксидом кремния, который применялся в полупроводниковом производстве последние три десятилетия.