TopList Яндекс цитирования
Русский переплет
Портал | Содержание | О нас | Авторам | Новости | Первая десятка | Дискуссионный клуб | Чат Научный форум
-->
Первая десятка "Русского переплета"
Темы дня:

Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад?

| Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?
Rambler's Top100
X X
О
[<9ФДО\ 3~то Р°ДЭ, см. Диссипатиеные струк-
«\f V I
(днШерпыо нелинейные Д. у, можно решить разл, приближ╦нными аналитич. методами. Двухмерные и тр╦хмерные нелинейные Д. у. при сложной конфигурации границ области н сложных законах изменения характеристик среды, внеш. к внутр. источников вещества, иерем. границ области, где происходит диффузия, поддаются решению только числ. методами с применением ЭВМ. С ыате.м. точки зрения Д. у., являясь частным случаем дпфферснц. ур пня, описывающего процесс установления равновесного распределения, совпадает с ур-нпем теплопронодхости п аналогично Начър ≈ Стпкга ijpann,enu.n для ламинарного потока несжимаемой жидкости и т д.
Лит.; Владимиров В. С., Уравнения мэтематичйеной фишки, 4 над,, М., 1981; КоэцоЬа .1. А., Методы ГСШР нин пыивсйпых задач теплопроводности. М., 1975: Р а и ч с н-н о А. II., Математическая теория амффуэии в приложениях, К. 1981: Crank J-, The mathematics ot diffusion, '2 ed., Oxf., 1975. C. 11. Азачпв. ДИФФУЗИОННАЯ ДЛИНА в полупроводнике ≈ расстояние, на к-ром плоский диффузионный поток не равновесных носителей зарлда (в отсутствие алектрнч. поля) уменьшается н р. раз. Д. д. L имеет Смысл ср. расстояния, ня к-poti смещаются носители Заряда в полупроводнике вследствие диффунии на время т их жняни: L = \ i*t, j де D ≈ коэф. диффузии носи-
МРТОЦ измерения Д. д. состоит Б генерации неравно-веемых носителей (обычно светом, пут╦м проектирования ярко освещ╦нной щели па поверхность обраапа] и их регистрации на нек-ром расстоянии г от места генерации. Коллектором прравновесных частиц может служить электронно-дырочный переход или контакт металл-полу прошдник. Изменяя г (расстояние между световой щелью и коллектором) и сигнал, снимаемый с коллектора, можно определить стационарное распределение концентраций иеравновесиых носителей. Зная зависимость концентрации от отношения r/'L, определяют L.
В нек-рых чистых полупроводниках, напр, в Ge, Д. д. может достигать неси. мм.
Лг<т. см. при гт. ^-иффу.шя носителей эпряда в полупр'тог!-пиках. Э. М. Эпштейн.
ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ. Если к р ≈ n-ntptxodg приложено ВЧ-иапряжспие, то инерционность процессов диффузии лаектрозюв и дырок приводит к запаздыванию напряжения на р ≈ п-пероходе относительно тока. Это икнивалептно появлению в злектрнч. схеме р ≈ га-перехода т. н. Д. ╦., включенной параллельно Карьерной ╦мкости.
ДИФФУЗИЯ (от лат. dilfusio ≈ распространение, растекание1, рассеивание) ≈ перавновегный процесс, вызываемый молекулярным тепловым движением и приводящий к установлению равновесного распределения концентраций внутри фаз. В результате Д. происходит выравнивание хим. потенциалов компонентов смеси. В однофазной системе при пост, темп-ре н отсутствии внеш. сил Д. выравнивает концентрацию каждого компонента фазы по объему всей системы. Если темп-pa не постоянна или на систему действуют внеш. силы, то в результате Д. устанавливается пространственно неоднородное равновесное распределение концентраций каждого из компонентов (см. Термодиф-
Д.≈ частный случай переноса явлений, относится к явлениям массопсреноса. Она (пишется одним из наиб, общих кинетич. процессов, присущих гадам, жидкостям и тв╦рдым телам, протекающих в них с разл. скоростью. Диффундировать могут также взвешенные малые частицы посторонних веществ (вследствие броуновскою дяиженкя), а также собств. частицы вещества (самодиффуяия). Диффузия ≈ необратимый
-й, процесс, один ия источников диссипации энергии в
ООО системв.
Скорость Д. (диффузионный поток) в бинарной смеси при малой концентрации диффундирующего вещества пропорциональна градиенту концентрации уС и имеет противоположное ему направление:
(Д ≈ диффузионный поток, т. е. поток массы 1-го компонента через единичную площадку в единицу времени, D ≈ колф. Д., р ≈ полная плотность бинарной смеси, pt ≈ ларцнилшан плотность 1-го компонента). Выражение (1) паз. 1-м законом Фика [открыт А. Фп-кон (Л- Fick) u 1855I.
В табл приведены длл сравнения ноэфф. Д. п бинарной смеси для газон, жидкостей и тв╦рдых тел при атм. давлении:
Диффундирующее
BCD КСТ ВО
. Основной номтшрнт
ТРИ пера тура, °С
Д ю'К
Бопорпл (газ) ....
Пг1}1ЬТ ПОДЫ ......
Кислород (газ] Воздух
0 0
0.70. 10-' 0.23-10-*
Ппваргштя соль . .
Золито (твердое) . . Ciiinri'u (тв╦рдый) . ∙
Води Свинец (твйрдый) Свгшсц {тв╦рдый)
3D 20
:>85
1.1-10-' 4 -10 -ч 7-10--"
Диффузионный поток первого компонента бинарной смеси при наличии градиента томп-ры у Г и градиента давления VP определяется ф-лоа
где А"2-≈ коэф. термодиффузии,
\ocjp, -ц \дС Iр, т
|t ≈разность хим. потенциалов щ и ца компонентов; величина KpD нал. коэф. Capo диффузии.
При стремлении концентрации к нулю коэф. Д. стремится к конечной постоянной. Из условия сохранения массы 1-го компонента в случае малой концентрации следует диффузии уравнение
(2-й закон Фика). Матем. теория ур-ния Д. совпадает с теорией теплопроводности ураниеичя.
Для смеси мн. компонентов диффузионный поток каждого компонента J/, согласно термодинамике необратимых процессов (1, 2], определяется градиентами хим. потенциалов ]>.<, всех п компонентов смеси:
л=
-2
'I'
где LU, ≈ кинетич. коэф. Оисагера, имеющие тензорный характер и пропорциональные коэф. Д. компонентов смеси (индекс означает, что рассматривается Д. i-ro компонента относительно ft-го). Градиенты хим. потенциалов берутся при фикспров. темп-ре Т. Выражение (4) есть частный случай линейных соотношении Онсагера между тсрмоднпамич. силами Д. ^ (ц# ≈ |i;,)r'^' и диффузионными потоками. Согласно принципу Онсшсра (см. Oitcaee;iu теорема), в отсутствие маги. ноля симметрии L//,≈ L^I.
Среди градиентов хим. потенциалов лишь п ≈ 1 независимых, их можно выразит!, чнреч градиенты концентраций с помощью Гиббса Дюжма ура/тения и представить диффузионным поток в виде
где DIJ, ≈ тензор коэф. Д. Его диагональные элементы определяют прямые процессы Д., а недиагональ-ные ≈ перекр╦стные диффузионные процессы. Соотно-

Rambler's Top100