и
ш
I
X
628
кащпя счетное множество седловыя перио-
Illii.
Все теоремы теории бифуркаций пилпются, в сущности, критериями г.ущрг.твованпя топ пли иной структуры в фазовом пространстве. Для проверки разл. критериев можно использовать не только апалнтич., но и численные методы. При этом, поскольку речь ид╦т о проверке условий теорем, а по о прямом моделировании, с помощью ЭВМ можно получать строгие результаты.
Лит.- Андронов А. А., Внтт А. А., Хайкин Г. 3., Теории иплеСаний, 3 и-щ., М., IS81; Б и р к г о Ф П. Д.. Динамические системы, iit[). с англ.. И,, 1911; И е и ы ц к и и В. Н., (1 т v п si IL п н И. Н., Клче'п лепная теории дифференциальны! уравнений, S изд., И.≈ Л., 1949; Качественная теория динамических: систем второго пирядкя, М . 1Э6И; Арнольд В. И.. Математические методы классическая механики, 2 изд., М., 1979; II и т е ц к и 3.. Висдспие в дифференциальную дина инку, пер. с ннгл.. М., 1975; Б а у т и н Н,Н,, Лсонто-в и ч Е. А., Методы и приемы качественного исслеяования динамических систем на плис к ист и, М.. 1876.!
В. С. Афрапмиаич, М. И, Рабинович.
ДИНАМИЧЕСКИЙ ВИНТ ≈ совокупность действующих на твердое тело силы F и пары сил с моментом ЛГ, лежащей в плоскости, перпендикулярной К сило F (векторы F и М параллельны). К Д. в. приводится в наиб, общем случае произвольная система действующих на тв╦рдое тело сил. Дальнейшее упрощение Д. в. невозможно, т. е. его нельзя заменить только одной силой (равнодействующей) или одной парой сил. Можно лишь, сложив силу F с одной из сил пары, привести Д. в, к двум скрещивающимся силам. ДИНГЛА ТЕМПЕРАТУРА ≈ феномена логмч. параметр, имеющий размерность зтмп-ры и характеризующий размытие Ландау уровней. Д. т. определяет амплитуду киантивых осцилляции в мат. иоле в металлах. ДИОДЫ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ - широкий класс двухполюсных твердотельных приборов, ои ьедиинющим признаком к-рых является унплолярность проводимости. Действие. Д. т. основано па свойствах р n-ne/iezo-due или переходов металл≈полупроводник (см. Шотт-ки барьер). По назначению ВЫДРЛЛЮТ неси, типов Д. т. Силовые выпрямители (вентили) НЧ-токов, макс, обратное напряжение (/└брК-рых лимитируется электрич. пробоем обратно смещенпого р≈n-перехода (достигает 1000 В), макс, прямой ток /чач(. лимитируется необратимым (приводящим к |шзруш«иию прибора) ТРТТЛОВЫМ пробоем (/~10Ш А). Высокочастотные (и м-л у л ь с и ы е) ц и о д ы, используемые как детекторы, смесители, генераторы гармоник и т. п., время восстановления т~ 1 ≈ 10 не. Для детектирований СВЧ-из-лучення применяют Д. т. с т~-10≈100 не. Стабилизаторы напряжения (опорные диод ы), распределение и концентрации легирующих примесей в к-рых подбираются так, чтобы обеспечить требуемое ''обр- За счет пробои осуществляется стабилизация напряжения на диоде. Ог,н. параметры ≈ стабилизируемое напряжение, макс, ток через диод, днфферезщ. сопротивление на участке стабилизации. Ii а р а к т о-р ы, действие к-рых основано па гтелпнеппой зависимости барьерной ╦мкости р ≈ н-порихода от напряжения Смещения. ИСПОЛЬЗУЮТСЯ В параметрических усилителях, смесителях частот и др. Фотодиоды служат для регистрации световых сигналов. Работа основана на разделении электрич. полем р ≈^-перехода электронно-дырочных пар, генерируемых свитовыми квантами в окрест пост л р≈n-перехода. Б результате разделении во внеш. цепи притекает тик либо на контактах возникает фотоэдс. Осп. параметры ≈ чувствительность, уровень шумов, квантовая эффективность (отношение электронного потока к интенсивности потока световых квантов), быстродействий. Разновидность фотодиодов ≈ солнечные батареи. Светодподы применяются в системах оптич. связи, индикации и освещения. Действие основано на излучат, рекомбинации электронно-дырочных пар в прямозошшх полупроводниках (типа GaAs; подробнее ем. Сагтаиялучающий
диод). Разновидностью светодиодов являются инжек-цианные лазеры.
При классификации Д. т. по фиа. принципу выделяют туннельные диоды, В К-рых ТОЛ 11(1111 а ойсЭн╦икоа» слпя столь мала ( ≈ 100 А), что эпергетич. оярьер между р- и п-областями оказываетен «прозрачными для тунне-лировання электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно. Они изготавливаются ия высоко-легнров. (вырожденных] полупроводников. Суперпозиция туннельного и обычного зонного механизмов проводимости обусловливает jV-об разную вольт-амперную характеристику (ВЛХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. 9та особенность ВАХ и определяет гл. область применения туннельных диодов ≈ генерацию СВЧ-излучення небольшой мощности.
Для генерации СВЧ-иплученчя используют и л а-винно-прол╦твые диоды. В них в силу спец. профиля распределения легирующих примесей узкая область с высокой напряж╦нностью электрич. ноля (область лавинного умножения носителей) содействует с областью со слабым полем (дрейфовая область пли область пролета). При определенных фазовых соотношениях между напряжениями па этих областях возникает динамит. отрицат. сопротивление всей структуры на частотах порядка обратного времени цро-л╦та носителей, что и приводит к усилению либо гоне-рации колебаний.
Для усиления и генерации служат также Ганпа диоды, в к-рых р≈ в-переходы отсутствуют, а усиление и генерация СВЧ-излучения происходят ая СЧ╗Т объемного отрицат. сопротивления, возникающего в силу особенностей иеждолинпого распределения электронов, цннр. в GiiAs (см. Ганна аффект].
По тех пол. признаку Д. т. классифицируют на: с п л а в и ы о, наготавливаемые вплавленном таблетки металла в полупроводник (раеплав обогащается примесью, обеспечивающей тип приноднмостн, противоположный типу исходного полупроводника, на границе расплава образуется р ≈ н-нерсчод); д и ф ф у и н-о н н ы е, изготавливаемые высокотемпературной диффузией примесей, шшыленних па поверхность кристалла, в ию толщу (варьируя тсмн-ру и длительность диф-фуяпошюго процесса, можно управлять глубиной сяялегания» р «-перехода); э п и т а к с н а л ь н ы е, в к-рых р ≈ п-переход получается в процесс? зпптак-сиалмюго роста полупроводниковой пленки на монокристалле того же вещества, по с противоположным типом примеси; т о ч е ч п о - к о и т а н т н ы е, где р ≈ л-переход или пюттки-Сарьер образуется у контакта, напр., вольфрамовою острия с полупроноцнн-ком. Дли изготовления Д. т. использутотсн также ионная имплантация и раднац. легирование.
В отд. случаях название отражает структурные-признаки прибора. Напр., в р ≈ i ≈ п-диодах между высоколегированными р- и й-облястями расположен слой полупроводника е проводимостью, бли.жий к соб-стненной. Они применяются как высоко пол ьтные вы-нрнмители, ц ВЧ-схемях, быстродействующие фотодетекторы и др. В диодах Шоттки слой, обедн╦нный осн. носителями в припонерхностной области полупроводники, возникает в силу ризницы в работах вычода полупроводника и металла. Диоды Шоттки используют гл. обр. и ВЧ- и СВЧ-схемвх.
Лит -∙ П н к у с Г. Е., ОСНОБЫ теории ттлущнишзникояых приборов, М., 19S5; Зн С. М., Физика пилуировоцниновых LijiiiGopoiL, мир. с ннгл., кн. 1 ≈ 2, М.т 1S)S4. В. Гергелъ.
ДИОПТРИЯ (от греч. die. ≈ через, сквозь и opteuo ≈ вижу) (дп, Д)≈ единица оптич, силы линзы и др. оеесим-метричных оптич. систем, равная оптич. силе линзы или сферич. зеркала с фокусным расстоянием 1 м. ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ (от греч. di-, в сложных словах≈дважды, двойной и poios ≈полюс) ≈ аналог диполя элептричесе;пго, к-рый можно представлять себе как два точечных магв. заряда (±qm), расположенных на рис-стоянки I друг от друга. Характеризуется детальным моментом, рапным по величине р,└ ≈ т ≈ г;,└1 н направ-
