tt
I
X ш
а. В неч╦тном ядре неч╦тный нуклон уве-_ _ о Jv для неч╦тно-протонных ядер, либп Jn для неч╦тно-нейтронных и коллективный ^-фактор первых больше, а вторых меньше, чем g^ для соседних четно-ч╦тных ядер. По абс. величине эта чвтно-неч╦т-ная разность коллективных гиромагнитных отношений
Лит..- РеОнуогср Д "'∙∙ ^ai( возникла модель сфероидальных нд)ф, пер. санга.,«УФН», Шв, т. 120, с. 52В; Б о р О., Моттельсон Б., Структура атомного ядра, пер. с англ.. т. Z, ╧.. 1977. гл. 4.5. И. М. Яввличенков.
ДЕ ХААЗА ≈ ВАН АЛЬФЕНА ЭФФЕКТ ≈ наблюдаемая в металлах и вырожденных полупроводниках при низких темп-pax осциллирующая зависимость магн. момента Л1 от внеш. магн. поля В. Впервые обнаружен В- дв Хзазом (W. J. de Haas) и П. ван Альфеном (£'. van Alplien) в Bi в 1930. В дальнейшем наблюдался практически у всех чистых металлов, у ряда интер металлических соединении я др. веществ, имеющих металлич. проводимость (MoOj, \V02 и др.), а также в вырожденных полупроводниках и двцмерниг проводниках, в честности еетероструктурах. Д . X. ≈ в. А. э., КЗЕ{ и др. квантовые осцилляции с мат. поле (напр., Шубчикоеа ≈ де Хаиза аффект}, обусловлен квантованием движения электронов в магн. поле.
Период осцилляции &В~1 позволяет оп ре делит ьпло-щадя экстремальных {по проекции квчзиим пульса на В) сечений ,S,KCTp фгряи-поеерхностк в соответствии с Лифшица ≈ Онсагера формулой:
Здесь е ≈ заряд алектропа. Д. X.≈в. А. э. приводит к образованию диамагнитных доменов при
*>п(дМ1дВ 1) > 1. Наблюдению осцилляции магн. момента, кал правило, не мешают побочные явления. В сочетании с иростотой намерения магн. восприимчивости это обусловило широкое использование Д. X.≈ в. А. э. в экспериментальной физике металлов (форма поверхности Ферми и др.).
Лит,.- Шенберг Д.. Магнитные осцилляции в ыстяллаг, пер. с англ., М., IS89. В. С- Эдельжпн.
ДЕЦИ... (от лат. decein ≈ десять; g, d) ≈ приставка для образования наименования дольной единицы, равной '/ю от исходной. Напр., 1 дм (дециметр) = 0,1 м. ДЕЦИБЕЛ (дБ, dB) ≈ дольная единица бела: 1 дС =
≈ 0,1 Б. Для сравниваемых значений Рг и Р, мкргетич. величии А=Ю 1£(/У\) ДГ5. а для значений Fa и /∙', силовых величин A=2fl Igf^V^itflB- Логарифмич. уровень -4=1дБ при Р2=1,259 Р, или ^=1,122 Р±.
Ю. Я. Иориш.
ДЕЦИЛОГ (дг, dg) ≈ единица логарифмич. уровня Л=10 lg(CV(?i), гДе Qi " <?2 ≈ сравниваемые значения одноим╦нной величины, П отличие от бела н децибела для Д. не делается различия между Dncpiei-яч. и силовыми величинами: условия, ограничения, а также нач. уровень уг оговариваются в каждом конкретном случае сравнения.
Литч.; Г н IT к и а Г. Г., Логарифмы, децибелы, цецилоги, М.≈ Л., Ш2. Ю. И. Иориш.
ДЕЦИМЕТРОВЫЕ ВОЛНЫ ≈ радиоволны с длиной волны от 1 до ОД м (диапазон частот 300≈3000 МГц). Возможность создания направленных антенн относительно небольших геом. размеров, прозрачность ионосферы п тропосферы для Д- в., зависимость ковф. отражения этих воли домной поверхностью от eii структуры являются основой широкого использования диапазона Д. п.: в тропосферных радиорелейных линиях, телевидении, линиях космич. связи, дистанц. методах исследования поверхностных СЛОЕВ Земли (с помощью радиолокации нли собственного теплового радиоизлучения Земли), в радиоастрономия при исследованиях галактич.. и внегалактич. объектов (распредел╦нное радиоизлучение Галактики, радиоизлучение
,__ зв╦зд, остатков сверхновых, радиогалактик, кваэа-
602 ров и др.).
ДЖОЗЕФСОИА ЭФФЕКТ ≈ протекание сперхпрово-дящего тока черея тонкую изолирующую или пссверх-проводящую прослойку между двумя сверхпроводниками (т. н. д н; о з е ф с о и о в с к к и контакт). Эффект был теоретически предсказан Б. Джозефсонои (В. Josephson, 19fi2) [1]. Д. э- обнаруживается при изучении вольт-амперной характеристики (ВАХ) джозеф-С01говских контактов (ДК). При пропускании через ДК достаточно слабого тока напряжение на контакте отсутствует, т. е. ток является чисто сверхпроводящим (джозефсоновский ток). Его существование связано с неполным разрушением куперовских пар электронов (см. Купера эффект} при их прохождении через очень топкую нес в ч рхпр о водящую прослойку. Такой режим называется стационарным Д. э. (экспериментально обнаружен в 1963 [2|). При увеличении тока через контакт и достижении им нек-рой величины /с на контакте возникает напряжение. Значение критич. джозеф-соновского тока 1е зависит от свойств контакта, темп-ры и маги. поля. Ток 1С складывается иа тока сверхпро-водящих (спаренных) электронов, к-pbiii теперь становится переменным (егочастота зависит от напряжения на контакте), и тока, обусловленного прохождением черея прослойку нормальных (несвер«провидящих) злектро-нон. Режим при токе 1е наз. нестационарным Д. Э.
Согласно теория сверхпроводимости, сверхпроводя-щие (спаренные) электроны характеризуются единой волпово& функцией, фаза к-рой плавно меняется вдоль сверхпроводЕшка при протекании по нему тока (фазовая когерентность сверхлроводяших ялектронов). При прохождения сверхпроводнщих электронов через несверх-проводягцую прослойку фазовая когерентность частично (в перу отношения толщины прослойки к т. н. ДЛУШС когерентности) разрушается и протекание джозефгонов-скиги тока черэз прослойку сопровождается скачкой фалы волновой ф-цни с ве рхпр о водящих электронов на этой прослойке <р=<ра≈Ф1( где q>2 и ф( ≈ фазы волновой ф-ции в сверхпроводниках по обе стороны от прослойки. При этом ток через контакт равен
Из ф лы (1) видно,что джозефсоновский ток не может превышать 1С.
ПеличиЕ1а ic п механизм прохождения электронов через прослойку зависят от типа прослойки. Одним из типичных примеров ДК является туннельный контакт, состоящие из диух одинаковых или раял. сверхпроводников (обычно в виде топких пл╦нок), разделенных очень тонким слоем диэлектрика, напр, слоем окисла материала одного из сверхороводящих электродов. Протекание тока через прослойку н этом случае обусловлено квантовым туннелировапием электронов (см. Туннельный эффект) че- ;,м* рез непроводящий барьер. Для получения измеримого джо-аефсоновского тока толщина изолирующей прослойки, должна быть ок. 10≈20 А. На
Вольт-аиперная характеристика (ВАХ) туннельного контиктн Sn ≈ Sn при юмпсратуре 1.4 К (гтрр-слойка ≈ [Кг╦нка оксида «липа).
рис. для примера изображена типичная ПАХ для туннельного контакта из одинаковых сверхпроводников. Стрелками показано направление изменения тока. Если увеличивать ток, то происходит описанный выше переход из стационарного в нестационарный режим Д. э. При уменьшении тока нестационарный Д. э. может сохраниться до апачепий тока, меньших критического (т. е. туннельный контакт проявляет гистерезис).
