нием тв╦рдой фазы. Практически кристаллизация 3Ые позволяет получить T~i мК, если 3Не был предварительно охлажд╦н до 10≈30 мК. Принципиальная схема кристаллизационного К. показана па рис. 3. Камера с подвижными стенками, заполненная 3Не, соединена хладопроводом с рефрижератором, обеспечивающим предварит, охлаждение (обычно К. растворения 3Не в *Не). На хладоироводе имеется тепловой ключ, служащий для размыкания тенлового контакта между рефрижератором и компрессионной камерой. Давление 3Не в компрессионной камере поднимают через систему (лп-
Рис. 3. Принципиальная схема кристаллизационного крио-стата sHe: J ≈ рефрижератор предварительного охлаждения, Я ≈ тепловой ключ, 3 ≈ хладопровод, 4 ≈ компрессионная камера, 5 ≈пресс с «Не.
рис. ft. Принципиальная схема криостата ядерного размагничивания меди (ИФП АН. СССР): 1 ≈ ванна с гелием, 2 ≈ вакуумная камера, 3, 7 ≈ тепловой экран, 4 ≈ камера растворения аНе в *Не, -5 ≈ конические тепловые контакты, 6 ≈ сверхпроводнщий тепловой ключ, а ≈ хладопровод, У ≈ экспериментальная камера, 10 ≈ экспериментальный соленоид, 21 ≈ основной сверхпроводящий соленоид, is ≈ ступень ядерного размагничивания.
нию) заливки 3Не до 2,93'10в Па (29,3 бар}, что соответствует минимуму на кривой плавления 3Не. Дальнейшее сжатие 3Не через систему заливки невозможно, т. к. в последней образуется пробка тв╦рдого 3Не в области, соответствующей темп-ре 300 мК. Дальнейшее повышение давления в компрессионной камере обычно осуществляется прессом, заполненным 4Не. Кристаллизационный К. применяют для исследований низкотемпературных свойств жидкого и тв╦рдого 3Не.
Криостаты адиабатич. размагничивания основаны на использовании магнитокалорического эффекта, заключающегося в изменении темп-ры Т маги, вещества при адиабатич, изменении напряж╦нности магн. ноля И. Для К. используют обычно парамагнитные спиновые системы, адиабатич, размагничивание к-рых приводит к понижению Т. Процесс понижения темп-ры при адиабатич. размагничивании ограничивается областью Г, при к-рои спиновая система переходит в магнитоупоря-доченное состояние. С др. стороны, для макс- хладо-производителытости метода желательно иметь стартовые условия вблизи темн-рной аномалии тепло╦мкости системы, возникающей при равенстве тепловой ц магн. энергий. Эти два требования определяют выбор хладагентов для К. адиабатич, размагничивания. В области стартовых темп-р 1000≈100 мК используются парамагн. соли (напр., церий-магниевый нитрат позволяет получить темп-рудо 2мК). В области стартовых темп-р 100≈10 мК применяются ванфлековские парамагнетики, эффективный магн. момент к-рых варьируется в широком диапазоне ≈ от электронного до ядерного. Используя PrNij, уда╦тся получить темп-ру до 0,5 мК. При
более низких стартовых темп-pax и применении мощных сверхпроводящих соленоидов уда╦тся использовать эффект адиабатич, размагничивания ядерных спиновых систем.
К. размагничивания могут включаться последовательно. Так, в двухступенчатых К. размагничивания, когда первая массивная ступень из меди либо из PrNi5 при размагничивании охлаждает вторую модную ступень, после размагничивания последней уда╦тся получить темп-ру ядер меди ~10 нК. При этом темп-pa к- ристал -лич. реш╦тки меди и электронов проводимости составляет ^- 10 мкК.
На рис. 4 показана принципиальная схема К. ядерного размагничивания меди. Ядерная ступень, помещ╦нная в поле ^80 кЭ, охлаждается мощным К. раство-ропия до J'^10 мК. Затем размыкается сверхпро-водящий тепловой ключ и осуществляется размагничивание {в течение 2 ≈ 10 ч). За это время в системе успевает установиться тепловое равновесие и охладиться экспериментальная камера. Т. о. уда╦тся охладить камеру, содержащую сверхтекучий 3Не, до мкК.
О
Лит.; Справочник по физико-техническим основам криоге-ники. под ред. М, П. Малкова, 3 изд., М., 1985; Растворы квантовых жидкостей, М., 1973; Лоунасмаа О. В., Принципы и методы получения температуры ниже 1 К, пеу. о англ., М., 1977. Ю. М. Бунъков.
КРИОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБбРЫ ≈ электронные устройства, в к-рых используются явления и процессгл, протекающие при визких темп-pax (условно Г^СЮО К). Большинство совр. К. п. основано иа явлении сверхпроводимости, в частности на Джозефсона эффекте., а также на особенностях одноэлектронного («кваличастично-го») туннелировашш между сверхпроводниками. По назначению К. п. можно разделить на неск. групп: приборы квантовой метрологии.', низкочастотные измерит. приборы (сквиды) для измерения магн. полей; пассивные СВЧ-устройства, в т. ч. сверхпроводниковые объ╦мные резонаторы и остронаправленныо антенны; при╦мные СВЧ-устройства, в т. ч. параметрические усилители^ смесители, видеодетекторы и болометры (см. Сверхпроводниковые при╦мника излучения)', сверх-проводниковые цифровые и импульсные устройства, в т. ч. ячейки логики и памяти ЭВМ, аналогоцтафровые преобразователи, стробоскопич. преобразователи сигналов и др.
Лит./ Крио&лектроника, «Зарубежная радиоэлектроника», 1983, ╧ 6 (спецвыпуск); Ван Дузер Т., Тер вер Ч., Физические основы сверхпроводниковых устройств и цепей, пер. с англ., М., 1984, К. К. Лихарев.
КРИПТОМАГНЕТЙЗМ ≈ СМ. Магнитные сверхпроводники.
КРИПТОН (Kripton), Кг, ≈ хгш. элемент VIII группы периодпч. системы элементов, инертный газ, ат. номер 36, ат. масса 83,80. Природный К. состоит из 6 стабильных изотопов: 7еКг, 80Кг, 82Кг, S3Kr, в*Кг и 86Кг, среди них наиб, распростран╦н 84Кг (57,0%), наименее ≈ 78Кг (0,35%). Электронная конфигурация внеш. оболочки 4s2pe. Радиус атома К. 0,198 нм. Энергии последо-ват. ионизации 13,999; 24,4; 36,4; 52,5; 64,7 эВ. При О СС и нормальном давлении плотн. К. 3,745 кг/м3, £пд=
= ≈ 157,37 °С, гнип=≈ 153,22СС. Шотн. жидкого К. 2,155 кг/дм3 (при £КИп)т теплота испарении
9,035 кДж/моль. Тв╦рдый К. обладает кубич. криетал-лич. реш╦ткой с постоянной решеткой а=0,5706 им (при≈ 184 °С). Критич. темп-ра≈ 63,8 ^Ст критич. давление 5,48 МПа, критич. плоти. 0,909 кг/дма. Тройная точка; «=115,95 К, давление 73,2 кПа, шютн. тв╦рдой фазы 2,821 кг/дм3, жидкой ≈ 2,451 кг/дм3. При 25 °С в 1 л воды растворяется 60 мл К. ХЕШ. активность К, крайне низкая, непосредственно реагирует только со фтором.
К. применяют для заполнения ламп накаливания, тиратронов, люминесцентных трубок. Большие кол-ва р-радиоактивного в&кг (т =^li),72 года) образуются
495
