i
для ИК^излучения с длиной волны X≈1≈9 мкм, показатель преломления 3,42 (Я=6 мкм), Диэлектрич. проницаемость К. разной степени чистоты 11 ≈ 15. Теплопроводность образцов К. разиой чистоты составляет 84≈126 Вт/м-К (25 °С). Температурный коэф. линейного расширения поликристаллпч. К. 3,82Х Х10-6 К-1 (при 293≈1273 К). Тв. по Моосу 7,0, по Бринеллю 2,35ГПа/м2; модуль упругости поликристал-лич. образца 162,7 ГПа.
К.≈ типичный полупроводник с шириной запрещ╦нной зоны 1,21 аВ (при О К), 1,09≈1,1 эВ (прп 300 К). Концентрация собств. носителей заряда (электронов а дырок) при комнатной темп-ре 6,8-1010 см~3, эфф. подвижность электронов и дырок 0,1350≈0,1450 и 0,0480≈ 0,0500 м2/В -с соответственно. Электропроводность К. сильно зависит от примесей; уд. электрич. сопротивление чистого К. при комнатной темп-ре равно (2,3≈ 2,5)-103 Ом-м.
При комнатной темп-ре К. химически мало активен; в соединениях проявляет степень окисления -J-4, реже +2 и др.
Особо чистый К., легированный спец. добавками,≈ оси. материал микроэлектроники, он используется для изготовления разл. полупроводниковых приборов ≈ транзисторов, тпристоров силовых выпрямителей тока, солнечных фотоэлементов, полупроводниковых лазеров и т. д. Монокристаллы Si02 применяются в радиотехнике, Si02 используют в оптич. приборостроении (напр,, изготовляют линзы и призмы для УФ-ирп-боров), К. прозрачен для длинноволнового излучения, поэтому его применяют в ИК-онтике. К. применяют также в металлургии (для раскисленин сталей, как легирующую добавку), он является составной частью мы. сплавов. Кремшшорганич, соединения входят в состав разл. смазочных масел, спец. резины и т. д. Искусств. радионуклиды К. короткоживущи; наиб, значение имеет р--радиоактивный 3JSi (Г,, ≥2,62 ч).
С. С. Бердоносоа,
КРИВАЯ РОСТА ≈ зависимость интенсивности спектральной линии, поглощения от числа атомов, участвующих в е╦ образовании. Применяется для определения фнз. условий и содержания хим. элементов в атмосферах зв╦зд, а также для определения сил осцилляторов. В качестве параметра, характеризующего интенсивность линии, используется эквивалентная ширина спектральной линии W^ (полная энергия
излучения £, поглощ╦нная в линии, выражаемая шириной соседнего участка непрерывного спектра, в к-ром
00
содержится энергия, равная
о
где г^ (или г ) ≈ остаточная интенсивность, т. е. от-
ношение интенсивности излучения на данной длине волны К (частоте v} в пределах спектральной линии к интенсивности излучения в соседнем непрерывном спектре. К. р. может быть построена па основании йксперим. данных и вычислена аналитически при известном коэф. поглощения о линии. Сравнение экспе-рим. и теоретич. К. р. позволяет определить содержание хим. элементов, темп-ру возбуждения Тех (см. ниже) и скорость турбулентных движений у
В рамках простейшей двухслойной модели Шварц-шильда ≈ Шустера звездная атмосфера условно разбивается на два слоя ≈ фотосферу (излучающую в непрерывном спектре) и обращающий слой (однородный слой, где образуются линии поглощения). В этом случае контур спектральной линии определяется выражением
ный на 1 атом, Nf- ≈ число поглощающих атомов на луче зрения (в столбе сечением 1 см2). В спектрах зв╦зд коэф. поглощения в линиях большинства элементов определяется совместным действием эффекта Доплера (в центр, областях линии) и эффектов затухания излучения (в крыльях линии):
где 50≈ e*fcmecAvn) ≈ кооф. поглощения в центре
линии (v=v/jt), Vfft ≈ частота, соответствующая переходу с г-го на &-Й уровень энергии, f h ≈ соответствующая
сила осциллятора, ДУД=(У/С)Г,,= (v/c)K 2kTJm-}-v}≈
доплеровская полуширина (и0 ≈ условный параметр), Т ≈ тсмн-ра, т ≈ масса атома, d/^≈ (Yi"f H~Yfr"f-Vf)/^ni гДе Yb Yfr ≈ постоянные затухания вследствие излучения, уг ≈ постоянная затухания вследствие столкновения атомов. При малых значениях Ntfjit, когда оптич. толща в центре линии л/о~ ≈ N,SQ не превосходит 0,5, линия слаба; контур е╦ 'определяется гл. обр. эффектом Доплера, a W^ раст╦т
пропорц. у0 (прямолинейный участок К. р.). При дальнейшем увеличении Nffik рост центр, областей линии замедляется и появляются крылья линии, определяемые процессами затухания излучения; эквивалентная ширина
растт медленнее: И^~п х<м при (пологий участок К. р.). Прп очень больших значениях
2,0 1,0 0,0
-1,0
-1,0 D.O 1,0 2,0 3,0 4,0 \g Х
-1
где
V
оптиче-
о
ская толщина обращающего слоя на частоте v в пределах линии, п, ≈ концентрация поглощающих атомов, 490 s ≈ поглощения коэффициент, па частоте VT рассчитан-
N fift (п, следовательно, Хо) контур линии определяется целиком процессами затухания излучения. В этом случае W^-*>Y /0. На рис. показано семейство теоретич. К. р., рассчитанных для модели Шварцшильда ≈ Шустера при разл. значениях нормированной постоянной затухания 2=4jtd,-ft/uv^.
На практике для линий каждого мул ьтиилота (см. Мулыпиплетность) данного элемента строят зависимость Ig(H^A) от lg(/gX), получая прп этом отрезки
К. р., сдвинутые относительно друг друга по осп абсцисс на величину Д£/£Г, где Д£ ≈ разность потенциалов возбуждения ниж. уровнен мультиплетов. (Абсциссы точек К. р., полученных по линиям одного муль-типлета, имеющим общий ннж. уровень, отличаются только величиной /gX, поскольку числа ^V,- для них одинаковы.) Перемещая эти отрезки параллельно оси абсцисс, составляют из них полную. К. р. Построенную К. р. сравнивают с семейством теоретич. К. р. Сдвигая построенную К. р. вдоль осей координат добиваются наилучшего совпадения с одной из теоротпч. К. р. По величпш» сдвига вдоль оси ординат находят параметр УО, по к-рому оценивают i;^. По величине сдвига вдоль оси абсцисс для каждой липни определяют соответствующее значение lg у0 к, следовательно, N^ но параметру 2, соответствующему выбранной теоретич. К. р., определяют ус и т. о. роль столкновений в затухании излучения (т. е. концентрацию атомов в обращающем слое). Предполагая Польцмана распределение атомов по состояниям возбуждения, по полученным
