стн или пластичности, от типа напряж╦нного состояния и характера нагружстшя. детали. Соответственно получают коэф, 3. п. по пределу прочности или по пределу текучести. Коэф. 3. и, по предельным нагрузкам≈ отношение предельной нагрузки, при к-рой несущая способность детали (или сооружения) исщипывается, к расч╦тной нагрузке. Коэф. 3. п. по прс^льным нагрузкам точнее отражает действит. состояние сооружения, однако его определение более трудо╦мко, Коэф. 3. п. по предельной деформации ≈ отношение нагрузки, вызывающей в конструкции в целом или в к.-л. с╦ элементе максимально допустимую характерную деформацию (прогиб, изменение расстояния между узлами и др.), к расч╦тной па-груакс,
Безопасность работы конструкции обеспечивается выбором надлежащего коэф, 3. п. При этом учитываются механич. свойства материала, вероятность возникновения случайных перегрузок, степень достоверности расч╦та и исходной информации, возможность невред-впдешшх дефектов (усадочные раковины, выбоины и др.)- Выбор значения коэф. 3. п. учитывает необходимость экономии материала и в ряде случаев связан с проблемой создания конструкции мин. веса (напр., космич. аппаратов, самол╦тов). Величина коэф. 3. п. колеблется в зависимости от перечисленных факторов от 1,3 до 6 и выше- Наим. значения принимаются для деталей, изготовляемых из высококачеств, материалов при высоком уровне технологий и необходимости снижении веса, а также в объектах разового кратковрем. назначения, наибольшие ≈ в конструкциях долговреы. использования, особенно при динамич. нагрузках. ЗАПАС УСТОЙЧИВОСТИ ≈ характеристика, определяющая степень удал╦нности величины действующих на конструкцию нагрузок от их предельных, критических, значений, при к-рых происходит потеря устойчивости и несущая способность конструкции исчерпывается (см. Устойчивость упругих систем). Численное значение 3. у. выражается отношением критич, нагрузки к фактически действующей на конструкцию и на;!, коэф. 3. у. Выбор надлежащего Коэф. 3. у. затрудн╦н тем, что невозможно точно учесть ряд факторов, влияющих на величину критич. нагрузок. Напр., для наиболее полно изученного случая ≈ потери устойчивости продольно сжатым стержнем≈такими факторами являются нецентральность приложения нагрузки, нач. кривизна стержня и неоднородность материала. При расч╦те реальных условий работы конструкции влияние дополнит, факторов компенсируют выбором поправочного коэф., учитывающего вероятность наличия дефектов. Поэтому коэф. 3. у. следует брать в виде произведения основного выбранного коэф. 3. у. и поправочного.
ЗАПОМИНАЮЩАЯ ТРУБКА ≈ электронно-лучевой прибор, служащий для записи и хранения временной последовательности электрнч. сигналов с последующей их визуализацией в виде двумерного изображения (3. т. с видимым изображением) или с их преобразованием в новую последовательность сигналов (запоминающие электронно-лучевые преобразователи электрич. сигналов). В первом случае 3. т. предназначены для отображения в течение достаточно длит, времени однократно записанной информации, носителем к-рой являются сигналы, напр, осциллограммы к.-л. электрич. процесса, цифро-буквенных и графич. данных с ЭВМ и т. п. Во втором ≈ 3. т. служат для задержки, сравнения и изменения порядка или темпов следования сигналов, в частности для преобразования радиолокац. изображений в изображения телевизионной структуры (преобразователи вида разв╦рток), для накопления сигналов с целью выделения их на фоне случайных помех и т. д, В большинстве 3. т. запоминание сигналов осуществляется накоплением электрич. зарядов, вносимых остросфокусировалным пучком электронов, на
╦мкостных элементах двумерной накопит, мишени М (обычно тонкий слой диэлектрика на проводящей подложке, часто сетчатой; рис. 1).
Нек-рые 3. т. с видимым изображением способны отображать информацию, содержащую неск. уровней яркости (полутоновые). В других ≈ яркость свечения экрана может иметь только два уровня (бистабильные).
Полутоновые 3. у. На подложку мишени М (рис. 1) пода╦тся положит, импульс напряжения, и вся мишень облучается широким потоком электронов небольшой энергии, создаваемым электронным воспроизводящим прожектором (ВП). При этом потенциал поверхности диэлектрика понижается до потенциала катода
Рис. 1. Схематическое изображение запоминающей трубки: ЗП ≈ записывающий прожектор; ВП ≈ воспроизводящий прожектор; ОС ≈ отклоняющая система; Коллектор, М ≈ мишень; Э ≈ люминесцентный экран.
ЗП
ВП-ОС
-Кол II -М
-3
ВП, а после окончания импульса на подложке оказывается отрицательным относительно подложки на величину, при к-рой электроны ВП не могут проникать через ячейки мишени на расположенный за ней положительный люминесцентный экран (потенциал запирания t/3).
При записи остросфокусированньгй пучок быстрых электронов, создаваемый записывающим прожектором с помощью отклоняющей системыт последовательно направляется в нужные точки мишени, создавая на отрицат, фоне положит, потенциальный рельеф, т. к. на облучаемых участках диэлектрик покидает больше вторичных электронов (отбираемых коллекторной сеткой), чем вносится первичных электронов пучком (см. Вторичная электронная эмиссия). Глубина потенциального рельефа Д£7 зависит от тока пучка, но нигде не достигает потенциала катода ВП. Заряд, накопленный на элементарных ╦мкостях между подложкой и поверхностью диэлектрика, и создаваемый ими потенциальный рельеф сохраняются долго.
При воспроизведении широкий воспроизводящий поток не попадает непосредственно на диэлектрик и не стирает записанный рельеф, т. к. на всех участках мишени потенциал диэлектрика ниже потенциала катода ВП, но может проходить на экран, вызывая его свечение, через те ячейки мишени, у к-рых в результате записи потенциал диэлектрика выше f/3 (рис. 2). В процессе воспроизведения потенциальный рель- Ui Потенциал еф постепенно (за 1≈5 мин) диэлектрика (катод ВП)
разрушается вследствие осаж- РИС. 2. Зависимость ярко-
дения на мишень положит, за- сти свечения экрана Э от
рядов от ионизации остаточ- п°≥нциала диэлектрика.
ных газов.
Стирание осуществляется ВП при подаче на подложку мишени положит, импульса как при подготовке. Периодич. подачей коротких импульсов стирание может производиться постепенно с регулируемой скоростью в процессе обновления информации.
Бистабильные 3. т. Потенциал диэлектрика мишени может иметь два значения ≈ потенциал катода ВП на участках с отсутствием записи и устойчивый положит, потенциал, несколько более высокий, чем потенциал коллекторной сетки на участках, в к-рых произведена запись. Устойчивость этого потенциала обусловлена тем, что выбиваемые электронами воспроизводящего потока вторичные электроны при коэф. вторичной эмиссии ст>1 отбираются коллектором лишь в том кол-ве, к-рое равно числу приходящих первичных. Остальные, относительно медленные вторичные электроны
i
О
с
49
Физическая энциклопедия, т. 2
