TopList Яндекс цитирования
Русский переплет
Портал | Содержание | О нас | Авторам | Новости | Первая десятка | Дискуссионный клуб | Чат Научный форум
-->
Первая десятка "Русского переплета"
Темы дня:

Президенту Путину о создании Института Истории Русского Народа. |Нас посетило 40 млн. человек | Чем занимались русские 4000 лет назад?

| Кому давать гранты или сколько в России молодых ученых?
Rambler's Top100

снятием обрезаний, использовать корректные интегральные представления для регуляризованных ф-ций Швингера SW('|A» о) и многочисл. методы статистич. физики. Тем самым оказалось, что мн. вопросы евклидовой теории эквивалентны проблемам статистич. физики. На ГУТ ом пути были упрощены доказательства существовании ф-ций Уайтмена в модели /*rt{<p)a и Д°~ казано их существование в модели у%,
Математически развитые методы ККТП привели пока к доказательству существования квантованных гейзен-берговых полей только в супернсрснормируемых моделях КТП. Переход к изучению перенормируемых моделей требует привлечения совершенно новых идей и методов.
Лит.: Саймон Б,, Модель Р (ф)2 евклидовой квантовой теории тюля, пер. с англ., М., 1976; Конструктивная теория поля, пер. с англ., М., 1977; Евклидова квантовая теория поля. Марковский подход, М., 1978; Глимм Д., Джаффе А., Математические методы квантовой физики. Подход с использованием функциональных интегралов, пер. с англ., М., 1984.
Г. В. Ефилоа.
КОНТАКТНАЯ ЛИНЗА ≈ очковая линза, предвазна-нениая для коррекции зрения, к-рая надевается непосредственно на роговицу глаза и удерживается на ней за сч╦т сил сцепления. Для над╦жного крепления внутр. поверхность К. л. должна иметь радиус кривизны, близкий к радиусу кривизны глазного яблока, что достигается индивидуальным подбором. В качестве материала К. л. используют либо оптич. силикатное стекло, либо полимеры, прозрачные в видимой области спектра, напр. ПОЛИМетИЛМетаКрИЛаТ. А. 77. Грамматин.
КОНТАКТНАЯ РАЗНОСТЬ ПОТЕНЦИАЛОВ ≈ разность потенциалов, возникающая между находящимися в электрич. контакте проводниками в условиях тер-модинамич. равновесия. Между двумя проводниками, привед╦нными в соприкосновение, происходит обмси электронами, в результате чего они заряжаются (проводник с меньшей работой выхода положительно, а с большей ≈ отрицательно) до тех пор, пока потоки электронов в обоих направлениях не уравновесятся и во всей системе уровень ал.-хим. потенциала (фермы-уровень} станет одинаковым. Установившаяся К. р. п равна разности работ выхода проводников, отнес╦нной к заряду электрона.
Если составить электрич. цепь из песк. разл. проводников, то К. р. п. между крайними проводниками определяется только их работами выхода и не зависит от промежуточных членов цепи (правило Вольта) К. р. п. может достигать неск. В. Она зависит от строения проводника (его объ╦мных электронных свойств) В от состояния его поверхности. Поэтому К. р. п можно изменять обработкой поверхностей (покрытия ми, адсорбцией и т. п.), введением примесей (для полупроводников) и сплавлением с др. веществами (в слу-нае металлов).
Электрич. ноле К. р. п., создаваемое приконтактным объ╦мным зарядом, сосредоточено вблизи границы раз-дела и в зазоре между проводниками. Протяж╦нность при контактно и области тем меньше, чем больше концентрации электронов проводимости в проводниках: в металлах 10~р≈10~7 см, в полупроводниках до 10~4≈10~ь см. При контакте полупроводника с металлом практически вся область приконтактного поля локализована в полупроводнике,
Электрич. поле К. р. п. изменяет концентрации свободных носителей заряда {электронов, дырок) в при-контактном слое. Когда концентрация осн. носителей заряда в полупроводниках понижается, при контактный слой представляет собой область повыш. сопротивления (запирающий слой). Т. к. концентрация носителей и, следовательно, сопротивление контакта изменяются несимметрично в зависимости от знака приложенного напряжения, то контакт двух полупроводников обладает вентильным (выпрямляющим) свойством, С К. р. п. связаны также вентильная фотоэдс, термоэлектричество в ряд др. электронных явлений. На существовании
К. р. п. основана работа важнейших элементов полупроводниковой электропики: р ≈ «-переходов и контактов металл≈полупроводник. Уч╦т К. р. п. важен при конструировании электровакуумных приборов, В электронных лампах К. р. п. влияет на вид вольт-амперных характеристик. При прямом преобразовании тепловой энергии в электрическую в тер моэ ми с с ионном преобразователе созда╦тся напряжение Как раз порядка К. р, п, (см. также Полупроводники).
Лит.: Ландау Л. Д., Л и ф ш и ц Е. М,, Электродинамика сплошных срад, 2 изд., М., 1982, § 23; Д и к у с Г. Е., Основы теории полупроводниковых приборов, М., 196&.
В. Б. Сапдомирский.
КОНТАКТНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ механические ≈ напряжения, к-рые возникают ори моханич. взаимодействии тв╦рдых деформируемых тел на площадках их соприкасания и вблизи площадок (напр., при сжатии соприкасающихся тел). Знание К. н. важно для расч╦та на прочность подшипников, зубчатых и червячных передач, шариковых и цилиндр пч, катков, кулачковых механизмов и т. п. Определение К. н. составляет задачу, наз. контактной.
Решение нек-рых контактных задач для упругих тел впервые дано Г. Герцем (G. Hertz). В основу его теории К. н. положены след, предположения: материал соприкасающихся тел в зоне контакта однороден и следует закону Гука; линейные размеры площадки контакта малы по сравнению с радиусом кривизны и линейными размерами соприкасающихся поверхностей в окрестности точек контакта; силы трения между соприкасающимися телами пренебрежимо малы. При этом найдено» что при сжатии двух тел, ограниченных плавными поверхностями, площадка контакта имеет форму эллипса (в частности, круга или полоски), а интенсивность распределения К. н. по этой площадке следует эллипсоидальному закону.
К. н. имеют местный характер, т. е. быстро убывают при достаточном удалении от места контакта (соприкасания тел). Распределение К. ti. по площадке кон-
Ри<% 1. Возникновение контактных напряжений при соприкосновении шаров.
Рис. 2. Возникновение контактных напряжений при соприкосновении цилиндров.
такта и в е╦ окрестности неравномерно и характеризуется большими градиентами. Важной особенностью распределения К. н. (напр., при сжатии шаров или пересекающихся цилиндров) является то, что макс, касательные напряжения тмакс, к-рые в значит, мере предопределяют прочность сжимаемых тел, имеют место на нек-рой глубине под площадкой контакта. Вблизи самой этой площадки напряж╦нное состояние близко к гидростатич. сжатию, при к-ром, как известно, касательные напряжения отсутствуют.
Характерными случаями соприкасания упругих тел являются следующие.
1) Соприкасание шаров (рис. 1); площадка контакта имеет форму круга радиуса «, на к-ром действует давление с интенсивностью р (г):
Ш
О
ас
44S


Rambler's Top100