433
и многосекцпонная (в и г). В К. э. с органич. диэлектриками базовой конструкцией является спиральный К. э, (д), в к-ром обкладки и диэлектрики представляют собой ленты, скручиваемые спиралью. Эта же конструкция часто применяется в К. э. с оксидным диэлектриком. В них диэлектриком служит тонкая оксидная пл╦нка, к-рал наносится на одну из обкладок (анод) электролитич. пут╦м. Объ╦мно-пористый анод рвзл. формы получается спеканием металлич. порошка (алюминий, ниобий, тантал). R результате анод имеет большую эфф. поверхность, отдел╦нную от второй обкладки тонкой изолирующей оксидиой ил╦икой, что опрсдсля-
р-
&
1
ет большую ╦мкость оксидпо-электролитич. К. э. В качестве иторой обкладки используют жидкий или пастообразный электролит, проникающий в поры анода.
В подстроенных К. э. применяются дисковые, пластинчатые и цилиндрич. конструкции, а диэлектриком в них служит конденсаторная керамика или воздух.
В качестве К. э. часто используются электрически управляемые конденсаторы (вариконды), а также полупроводниковые транзисторы и диоды с запертыми р ≈ гс-персходами.
Лит,: Р е н н е В. Т., Электрические конденсаторы, 3 нац., Л., 1969; Горячева Г. А., Добромыслов Е. Р., Конденсаторы, Справочник, M.f 1984.
Ф. П. Шакирзянав. КОНДЕНСАЦИЯ (от позднелат. condensatio ≈ уплот-
нение, сгущение) ≈ переход вещества из газообразного состояния (пара) в жидкое или твердое состояние. Ква-аистатич. процесс К, происходит в условиях равновесия сосуществующих фаз и является фазовым переходом 1-го рода. Если при этом давление р поддерживается постоянным, 'то сохраняется постоянной и абс. темп-ра Т. Связь между р и Т определяется равенством химических потенциалов |АП и р,ж для пара и жидкости соответственно:
плп зада╦тся Клапейрона ≈ Клаузиуса уравнением. Эти ур-нил справедливы как для К., так и для обратного процесса ≈ испарения, направление же процесса определяется теплообменом с окружающей средой: если системе сообщается теплота, происходит испарение, при с╦ отводе ≈ К. Кол-во теплоты, выделяющееся при К. единицы массы, равно теплоте испарения. В кпазп-статич. условиях К. пара в жидкость возможна в интервале давления от критического до давления в тройной, точке. Ниже давления в тройной точке конденсирующийся пар граничит с кристаллом (рис. к ст. Цс-
Равновесие между паром и конденсированной фазой (напр., в замкнутом объ╦ме) имеет дппамич. характер; ср. потоки конденсирующихся и испаряющихся молекул равны между собой, т. е. компенсируют друг друга. При нарушении фазового равновесия величину не-скомпенсированного потока молекул ]# можно оценить, используя приближение идеального газа для пара (т. н. ур-нио Герца ≈ Кнудсена):
где а, ≈ коэф. конденсации, различный для разных веществ, ря ≈ равновесное давление (давление насыщения при теми-ре T)t т ≈ масса молекулы. Если
в газовой фазе присутствует неконденсирующий газ, то К. пара происходит при его парциальном давлении, соответствующем линии насыщения чистого вещества. Молекулы газа скапливаются у поверхности раздела фаз п затрудняют К., снижая е╦ скорость, однако появляющийся градиент концентраций вызывает их диффузию.
Если первоначально пар не сосуществует с конденсированной фазой, то он может перейти в метастабиль-ное состояние, характеризуемое степенью пересыщения Е≈/V/V При высоких степенях пересыщсния внутри парогазовой смеси даже в отсутствие конденсирующих поверхностей может начаться процесс К. Кинетика нач. стадии такой объ╦мной К. описывается теорией гомогенного зародышеобразования. Высокая степень пересыщения созда╦тся при быстром расширении пара в потоке, при смещении пара с холодным газом, в молекулярных пучках. Образование зародышевых капель облегчается на смачиваемых стенках, тв╦рдых частицах (гетерогенное зародышеобразование) и на ионах (напр., В Вильсона камере),
К. и испарение играют важную роль в круговороте воды в природе, а также в разл. течиол. процессах. На тепловых и атомных электростанциях К. отработанного водяного пара, происходит при низком давлении (ок, 4 К Па). На смачиваемой тв╦рдой охлаждаемой поверхности конденсат образует сплошную пл╦нку, к-рая ухудшает теплообмен между паром и стенкой. В отсутствие смачивания наблюдается капельный режим К., к-рый предпочтительней пл╦ночного, однако при длит, работе несмачиваемая поверхность обычно становится смачиваемой. К. используется также в холодильных машинах, в ожижителях газов, в опреснительных и ректификационных установках. Кроме К. на тв╦рдой поверхности в технике применяют К. на струях и каплях предварительно охлажд╦нной жидкости.
Неравновесная К. на тв╦рдой поверхности с темн-рой 71у^<71Тр (2"тр ≈ темп-pa тройной точки) может идти по схеме пар -э- жидкость -*- кристалл. Для ряда веществ экспериментально показано, что пюк. граница перехода к механизму К. пар -»- кристалл лежит при Ту/~2/э ГТр (см. Кристаллизация). Нсравновесная К. на охлаждаемой подложке (напр., для воды при Тф^ <С120 К) может приводить к образованию тв╦рдого аморфного (стеклообразного) слоя вущестиа.
Лит.; Радченко И. В., Молекулярная физика, М., 1965; Хирс Д., П а у н а Г., Испарение и конденсация, пер. с англ., М., 19*16; Кириллин В, А., Сычев В. В., III е и н д л и н А. Е., Техническая термодинамика, 4 изд., М., 1983. Д. П. Скрипов.
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ ВЕЩЕСТВА
(конденсированное тело) ≈ понятие, объединяющие тв╦рдые тела и жидкости в противопоставлении их газу. Атомные частицы (атомы, молекулы, ионы) в конденсированном теле связаны между собой. Ср. энергии теплового движения частиц не хватает на самопроизвольный разрыв связи, поэтому конденсированное тело сохраняет свой объ╦м. Мерой связи атомпых частиц служит теплота испарения (в жидкости) н теплота возгонки (в тв╦рдом толе).
КОНДЕНСОР ≈ короткофокусная линза или система лпнзт используемая в оптич. приборе для освещения рассматриваемого или проецируемого предмета. К. собирает и направляет на предмет лучи от источника света, в т. ч. и такие» к-рые в его отсутствие проходят мимо предмета, в результате резко возрастает освещ╦нность предмета. К. применяются в микроскопах, спектральных приборах, проекционных аппаратах разл, типов. Конструкция К. тем сложнее, чем больше его апертура. При числовых апертурах до 0,1 применяют простые линзы; при апертурах 0,2≈0,3 ≈ двухлинзовые, выше 0,3 ≈ трйхлинзовые К. Наиб, распростран╦н К. из двух одинаковых плоско-выпуклых линз, к-рые обращены друг к другу сферич. поверхностями (рис.) для уменьшения сферической аберрации. Иногда поверх-
Q.
О
о
X ш
Ч О
437
