Ш^.1 О
О
и
й К. п. является обратимым процессом, и наобо-рот. Для идеальных систем это не всегда так, напр, в механике при консервативных силах (без трения) быстрые процессы могут быть обратимыми. В идеальной жидкости (без вязкости) распространение звука есть быстрый, по обратимый процесс. К. п. ≈ одно из осн. понятий термодинамики, т. е. термодинамич. ф-ции определяют с помощью К. п., а циклич. процессы, составленные из К* п., дают макс, значение работы (см. Карпа цикл). д. и. Зцбп-рев. КВАЗИСТАЦИОНАРНОЕ (КВАЗИСТАТЙЧЕСКОЕ) ПРИБЛИЖЕНИЕ в электродинамике≈ приближ╦нное описание пером. эл.-магн. поля, справедливое при достаточно медленных его изменениях во времени. Критерием медленности служит условие т/7*<1, где Т ≈ характерное время изменения поля (напр., период колебаний), т ≈ время распространения волновых возмущений через рассматриваемую ограниченную область пространства (квазистационарную зону). Квазистационарные электрич. поля в первом приближении определяются зарядами, а магнитные ≈ токами, так же как в электростатике и магнитостатике. При этом пренебрегаете*! эффектами запаздывания, считается, что поля во всей квазистационарной зоне изменяются во времени синхронпо с источниками. В следующем приближении учитываются вихревые индуцированные ноля. Электрич. вихревые поля наводятся медленно изменяющимися во времени магн, полями первого приближения,, магн. поля ≈ электрич. полями. Индуцированные поля существенно изменяют характер всего физ. процесса, прежде всего благодаря возникновению в проводящих контурах эдс индукции. Поэтому иногда квазистационарная зона ыаз. зоной индукции,
В нек-рых квазистационарных системах злектрич. и маги, ноля пространственно разнесены. Простейшим примером является колебательный контур, в к-ром магн. поле сосредоточено в основном в катушке самоиндукции, а электрическое ≈ в конденсаторе. Однако небольшие добавки индуцированного вихревого электрич. поля в катушке и магнитного в конденсаторе играют принципиальную роль, обеспечивая перекачку электрич. энергии конденсатора в магн. энергию катушки и обратно. Цепи с приближ╦нно разнес╦нными электрич. и магн. полями относят к системам с сосредоточенными параметрами, оии обычно допускают описание с помощью дифференц, ур-ний в полных производных, Примером квазистационарных систем с нераздел╦нными маги, и электрич. полями могут служить хорошо проводящие среды, токи проводимости в к-рых заметно преобладают над токами смещения. Для таких систем характерны эффекты прижатия нолей к поверхностям раздела проводник ≈ диэлектрик (скип-эффект), наличие чисто вихревых токов, наводимых в массивных проводниках внеш. полями (Фуко токи], и т. и. * В принципе К. п. реализуется для полей любой физ. природы: акустич., гравитац. и т, д. Критерием применимости К. п., как и в случае эл.-магн, систем, явля-
ется малость параметра т/ Т.
Лит.: Та мм И. Е., Оснолы теории электричества, 9 изд., М., 1976; Ландау Л. Д.. Л и ф ш и ц Е. М.,
Электродинамика сплошных сред, 2 изд., М., 1982.
М- А. Миллер. Г, В. Пермитип*
КВАЗИСТАЦИОНАРНОЕ СОСТОЯНИЕ ≈ то же, что
метастабилъное состояние.
КВАЗИСТАЦИОНАРНЫЙ ТЕРМОЯДЕРНЫЙ РЕАК-
ТОР ≈ один из типов разрабатываемого в 1980-х гг. термоядерного реактора* к-рый может работать импульсами длительностью масштаба сотен с. Примером К. т. р. является система на основе установки токамак, удержание плазмы в к-рой осуществляется с помощью внеш. магн. поля и поля тока, протекающего по плазме. Длитслыюсть импульса определяется возможностью поддерживать ток в плазме индукционным или к.-л. др. способом либо временем накопления продуктов термоядерных реакций.
Осн. недостатком К. т. р. является импульсный характер его работы, при к-ром возникают персм. тепловые и пондеромоторные нагрузки на реактор. Есть принципиальная возможность непрерывно поддерживать ток в плазме токамака введением дополнит, мощности ВЧ-колебаний или пучков быстрых нейтральных частиц, и в этом случае К. т. р. превращается в стационарный. См, также ст. Тока.чак и Термоядерный реактор. в. И. Пистунович. КВАЗИУПРУГАЯ СИЛА ≈ направленная к центру О сила, модуль к-рой пропорционален расстоянию г от центра О до точки приложения силы (F≈≈ет), где с ≈ постоянный коэф,, численно равный силе, действующей на единице расстояния. К. с. является силой центральной и потенциальной с силовой ф-цией U = ≈ 0,5сг2. Примерами К. с. служат силы упругости, возникающие при малых деформациях упругих тел (отсюда и сам термин «К, с.»). Приближ╦нно К. с. можно также считать касательную составляющую силы тяжести, действующей на матем. маятник при малых его отклонениях от вертикали. Для материальной точки, находящейся под действием К. с., центр О является положением е╦ устойчивого равновесия. Выведенная из этого положения точка будет в зависимости от нач. условий или совершать около О прямолинейные гар-монич. колебания, или описывать эллипс (в частности,
ОКРУЖНОСТЬ). С. М. Тарг.
КВАЗИУПРУГОЕ РАССЕЯНИЕ ≈ процесс перехода двух нач. частиц в две конечные, когда хотя бы одна из конечных частиц отличается от первичных (напр.,
КВАЗИУРОВНИ ФЕРМИ ≈ энергетич. уровни, характеризующие заполнение разреш╦нных энергетич. зон носителями заряда в полупроводниках в неравновесных условиях. В состоянии термодинамич, равновесия распределение носителей по энергиям описывается Ферми ≈ Дирака статистикой и определяется темп-рой Т и ферми-энергией £ р. При освещении полупроводника или инжекции носителей заряда равновесие нарушается. Однако может возникать квазиравновесное состояние. Если времена релаксации импульса и энергии для электронов и дырок намного меньше времени их рекомбинации, то внутри каждой разреш╦нной энергетич. зоны устанавливается равновесное распределение по энергиям с темп-рой реш╦тки. Однако отношение концентраций электронов и дырок при этом является неравповесным. Это означает, что не существует единого уровня Ферми для всей системы, а каждой зоне соответствует фермиевское распределение для электронов и дырок со «своим» уровнем Ферми:
г- f
е
-1
kT /
/д<£)= 1-Мхр
Г
-1
(1)
(величины £>, &р ≈ расстояния К. Ф. от кра╦в зон). В условиях, когда можно ввести К. Ф., соотношений, связывающие концентрации электронов »э и дырок «д с положением соответствующих К, ф., имеют тот же вид, что и в равновесных условиях:
пр=
ехр
(2)
(п; ≈ равновесная концентрация носителей каждого знака в собственном полупроводнике), что является обобщением действующих масс закола для квазиравко-весной системы. Если имеется достаточно быстрый обмен ' носителями заряда между зоной проводимости (или валентной зоной) и группой локальных уровней в запрещ╦нной зоне, то для них можно ввести общий К. Ф.
Jfum.: Боич-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М,, 1977.
Э. М. Эпштсйч,
