ш
X X
о
перпендикулярных электродов. Когда к паре таких электродов приложено напряжение, превышающее напряжение зажигания разряда, в ячейке возникает све-тнщинся разряд. Комбинируя адресацию и последовательность приложения напряжений, можно получать разл. изображения. Г! качестве источника свечения используется катодное тлеющее свечение, собственное свечение столба разряда или возбуждаемое излучением плазмы стечение люминофора.
Различают три вида панелей: ГИП пост, тока с внеш. адресацией, ГИП пост, тока с внутр. адресацией (с самосканироваиисм) и ГИП пером, тока.
ГИП пост, тока с внеш. адресацией содержат стск-ляиные пластины, на нижней из к-рых расположены параллельные горизонтальные (строчные) электроды, а на верхней ≈ вертикальные (столбцовые) полупрозрачные электроды. Газовый зазор между электродами обеспечивается перфорированной диэлектрич. пластиной. Собранная конструкция по периметру герметизируется и наполняется газом. Токоограничивающие резисторы" либо выполняются навесными, либо наносятся в пл╦ночном исполнении на стекло самой панели.
Лит.; Каганов И, Л., Ионные приборы, М,, 1972; Яблонский Ф. М.. Системы отображения информации, М,, 1»83; Быстрое Ю. А., Литва к И. И., П е р-с и и н о в Г. М., Электронные приборы для отображения ин-*прмяций, М., Ш5. В. Д. Соболев. ИОННЫЕ РАДИУСЫ ≈ см. в ст. Атомный радиус. ИОННЫЕ СУПЕРПРС ВОДНИКИ (твердые электролиты) ≈ вещества, обладающие в тв╦рдом состоянии высокой ионной проводимостью а, сравнимой с проводимостью жидких электролитов и расплавов солей (10~г≈10~3 Ом-1 см-1}. И. с. можно разделить на 2 типа, 1) Ионные кристаллы, способные находиться в зависимости от темп-ры в двух состояниях, из к-рых низкотемпературное характеризуется малой проводимостью (диэлектрик или полупроводник), а высокотемпературное ≈ аномально высокой ионной проводимостью (супириошюе состояние), Суперпоныое состояние обнаружено, напр., у Ag2S, Agl, AgBr, CuBr, Cu2S, CuCl, Т;, в к-рых мигрирует метал л ич. катион (рис, 1).
г[с-1≈≈*. 100 200 500
Ю3
с Г
]'
10"
ю -
≈ ю-'
Рис. 1.
[к-']
Соединения с большой концентрацией примесных ионов: о KETCH ые тв╦рдые растворы типа М02≈М"0
и М0а≈MiOg, где M-Zr, Ш, Ge; M'-Ca, Sr, Ba; М"≈S, Y, лантаноиды (носители заряда ионы кислорода О ~); глиноз╦мы, напр. Na20 *11А1203 (р-глинон╦м, мигрирует Na г но плоскостям, лежащим между блоками А1203) и др. И. с. иногда паз, также ст╦кла и ион-нообыенные смолы, обладающие заметной ионной проводимостью благодаря наличию электроактивных добавок.
Определяющим свойством крнсталлич. И. с. является полная или частичная разупорлдоченность подреш╦тки атомов одного сорта в упорядоченной структуре остальных атомов. Наглядным образом И. с. является
жесткотсристаллич. каркас (матрица), пропитанный «ионной жидкостью». Для И. с. характерна рыхлость структуры с большим числом свободных позиций для подвиж-
206
Рис. 2. Структура Agl в су-перппшюй фазе (при Т > >147 УС). В элементарной нчейкс 2 иона проводимости А^+ статистически распределены по 42 разреш╦нным ио-йнцинм 3 типов.
пых ионов. Разреш╦нные позиции в совокупности образуют одно-, двух- или тр╦хмерную сетку проводящих каналов (рис. 2). Подвижные попы могут занимать несколько положений в элементарной ячейке и легко мигрировать между ними и, следовательно, по всей кристаллич. реш╦тке матрицы. Движение ионов проводимости в кристалле является сложным и сочетает в себе колебания ионов в потенциальных ямах и диффузионные перескоки из одного положения равновесия в другое. При этом время осцилляции в потенциальной яме и время прол╦та иад барьером имеют одинаковый порядок. Кроме того, возбуждения системы подвижных ионов сильно связаны с колебаниями матрицы.
Фазовый переход из одного состояния в другое сопровождается скачкообразным разупорядочением одной из подреш╦'ток. Др. подреш╦тка (матрица) может претерпевать при этом структурные изменения, сохраняя» однако, ж╦сткость. У нек~рых И. с. не найдена диэлект-рич. фаза (теоретически допустимо существование И. с., у к-рых одна из подреш╦ток разупорядочена вплоть до Т1≈О К). Одновременно с переходом в суперионное состояние наблюдаются аномалии в температурных зависимостях термодинамич. и кинетич. характеристик.
Механизмы переноса заряда И. с. многообразны. Проводимость может быть собственной или примесной, чисто ионной, вакансионной или смешанной. Чаще всего она осуществляется ионами малого радиуса элементов
первой группы пер под ич. сисге.мы (Н + , Li + , Na + , и др.), а также катионами с большим зарядом h, Nd2"*"), анионами (Fe2~, 02~), кластерными ионами (NH^, ОН"). Катионнме проводники более распространены и важны ввиду больших значений о при темп-pax Г~300 К.
Г.'С 1DaSOO 300 20D 100 200 -50 -80
≈ "5
Рьр
Лнэлектрики
Ионная проводимость И. с. может обладать анизотропией. Для нек-рых И. с. по- о казатель анизотропии достигает Ю3 ≈ К)4. Электронная проводимость у них обычно гораздо меньше ионной, хотя у нек-рых "∙ И. с. (напр., Ag2S) она « имеет сопоставимое о" [значение.
Рис. 3. Зависимость ион-
ноа проводимости алойных суперпроводников и обычных ионных кристал- 45 лов (диэлектриков) от температуры Т.
С высокой ионной проводимостью И. с. связаны большие значения коэф, диффузии D подвижных ионов (D~10~b см2/с) в сравнении с £~Ю~8см2/с для обычных тв╦рдых тел вблизи темп-ры плавления. Проводимость и диффузия И. с. имеют термоактивационный характер:
ст=а0/7'ехр (£ ikT)\ D^DQ охр (8DlkT).
Здесь £а~ £п~СМ ЭВ≈ энергия активации, на порядок величины меньшая энергии образования дефек" тов в обычных ионных кристаллах^ На рис. 3 приведены зависимости а (Т1) для И. с. в сравнении о (Т) диэлектриков; видно резкое различие в величинах <т и £а (наклон, кривых). Ионная проводимость определяет элект-рич, свойства И. с. до частот порядка Ю12 Гц. В области U11TU4. частот И. с. ведут себя как полупроводники или диэлектрики.
