JQ
X
i
око используются импульсные водородные Т. Оксидный накаливаемый катод 1 (рис. 1) с большой за сч╦т р╦бер поверхностью обеспечивает в импульсном режиме необходимый ток эмиссии. Многослойная управляющая сетка 4 практически полностью экранирует прикатодное пространство от поля анода 5.
Благодаря этому, а также малым зазорам между анодом и сеткой Т заперт даже при небольшом положит, потенциале сетки и выдер-4 живает высокие прямые на-пряжсшш. Для зажигания 3 осн. разряда надо на управляющую сетку подать такой положит, потенциал, к-рый
11111111
Рис. 1. Схематический разрез импульсного водородного тиратрона: 1 ≈ оксидный катод; а ≈ нагреватель катода; з ≈ экран катода; 4 ≈ управляющая сетка; 5 ≈ анод; б ≈ генератор водорода; 7 ≈ корпус.
обеспечит не только зажигание на не╦ разряда, но и опрсдел. величину тока, достаточную, чтобы проникающие за сетку электроны и ионы стимулировали зажигание разряда на анод. Т. о,, водородный Т является И. п. с токовым управлением моментом возникновения разряда.
Наполнение этих Т водородом обеспечивает быстрое развитие разряда и быструю деионизацию газа после гашения разряда, т. е. крутые фронты импульсов тока и высокочастотность приборов. Допустимая частота повторения импульсов достигает 30≈50 кГц. Генератор (накопитель) водорода в поддерживает неизменной плотность газа в Т, компенсируя его сорбцию электродами и стенками корпуса. Спец. вакуумная керамика корпуса Т не только повышает но сравнению со стеклянными колбами механич. прочность, но и в сочетании с хорошими условиями охлаждения анода обеспечивает существспное уменьшение габаритов прибора.
В линейных модуляторах с импульсным Т часто из-за рассогласованности сопротивления нагрузки и волнового сопротивления формирующей линии сразу после прохождения через Т импульса тока возникает напряжение обратной полярности. Вызывая появление обратного тока, оно препятствует восстановлению управляющих свойств сетки Т* Для снятия с Т этих обратных напряжений, а также в качестве вентилей в цепях заряда формирующих линии используются клиппсрные диоды. Эти неуправляемые высоковольтные ионные вентили конструктивно сходны с водородными Т. Отличие состоит в том, что электрод, выполняющий в Т ф-ции управления моментом зажигания разряда (сетка), здесь имеет-потенциал катода и играет роль анодного экрана. Необходимость решения противоречивых задач ≈ обеспечения свободного прохождения прямого тока и вместе с тем высокой вептильиой прочности ≈ определила конструкцию экрана в виде одного диска
Табл. 2. ≈ Параметры импульсных тиратронов и клипперного диода.
с отверстиями, благодаря чему его проницаемость больше проницаемости сотки тиратрона.
В табл. 2 приведены параметры трех типов импульсных водородных тиратронов и клипперного диода,
Наиб, мощным И. п. преобразовав техники являются приборы самостоят, дугового разряда ≈ экзитро-ны и игнитроны.
Особенность этих приборов ≈ ртутный катод в виде слон ртути на дно корпуса. На рис. 2 приведена схема экзитрона (Э). Газовый разряд горит в парах ртути, испаряющейся с катода, конденсирующейся на стенках корпуса и стекающей обратно на катод. Давление насыщенного ртутного пара в рабочем пространстве колеблется от 0,001 до 0,01 мм рт. ст. Оно определяется темп-рой участков корпуса, на к-рых происходит конденсация. Эта темп-pa поддерживается па определ. уровне пут╦м охлаждения корпуса водой, пропускаемой через его водяную рубашку.
Источником электронов, обеспечивающих формирование в межэлектродном пространстве газоразрядной плазмы и перенос тока, является катодное пятно на поверхности ртути, образованное в результате пропускания
&-.
Выход воды
204
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
if A
|
v*>
|
|
|
Сеточный
|
|
|
|
|
\V А
|
к 13
|
|
|
импульс
|
|
|
|
|
|
|
ишк,
|
|
|
|
|
|
Тип
|
|
|
|
И it К "
|
Ц:ж»
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
в
|
Л
|
|
|
|
|
|
|
|
И
|
|
|
|
|
Uc,
|
'с,
|
т,
|
|
|
|
|
«ч *£.
Я
|
Р. а
|
& в
|
|
|
в
|
А
|
мне
|
|
|
|
ТГШ- 130/10
|
130
|
10
|
10
|
6,3
|
0
|
170
|
0,5
|
2-8
|
|
|
|
ТГИ1 ≈ 1000/2Г|
|
1000
|
1.0
|
25
|
в,э
|
22
|
500
|
3
|
з-«
|
|
|
|
ТТИ1≈ 2(](Н)/35
|
2000
|
2,0
|
35
|
(р. И
|
5 Г.
|
1000
|
10
|
3-8
|
|
|
|
ГКД1 ≈500/20
|
500
|
1,0
|
20*>
|
13,3
|
16
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
*) Обратное напряжение.
Рис. 2. Структурная схема экзитропа; 1 ≈ ртутный катод; 2 ≈ зажига-тиль; з ≈ отражатель; 4 ≈ анод; 5 ≈ экран анода; 6 ≈ управляющая сотка; 7 ≈ деионизащтон-ный фильтр; 8≈анод возбуждения.
Рис. 3. Осеной разрез игнитрона: 1 ≈ ртутный катод; з ≈ зажигатель; з ≈ ограничитель катодного пятни; 4 ≈ анод; 5 ≈ корпус; б ≈ рубашка охлаждения.
импульсов тока чорсз погруж╦нный в ртуть полупроводниковый зажигатель. Обладая неогранич. эмиссионной способностью, катодное пятно может обеспечить любой ток через Э. Вместе с тем оно может существовать только при токах не ниже 5≈8 Л. Поэтому в Э имеются аноды возбуждения (один или два), поддерживающие существование катодного пятна в обратный полупериод напряжения основного анода и при снижении тока основного разряда ниже мин. тока существования катодного пятна.
Моментом зажигания дуги на осп. анод управляют с помощью сетки, закрепл╦нной в окружающем анод экране. Е╦ действие аналогично действию сетки в выпрямит, тиратроне.
В условиях низких давлений наполняющего прибор газа рекомбинация электронов и ионов происходит на стенках корпуса и поверхностях электродов, соцри* касающихся с плазмой. Поэтому для ускорения дсиопи-зации анодно-сетчатого пространства в течение обратного полупериода анодного напряжения и для бграпи-чения диффузии в это пространство зарядов из области
