олклопнт. И. к. и. происходят за сч╦т обменного взаимодействия и приводят к изменению полного спина системы на единицу (\&S ≈ !)∙ В отличие от радиационных И. к. п., выражения для сечений столкновит, И, к. п, 0( Д£| ≈1) не содержат малого параметра, но, как правило, сечения а(|AiS¹] ≈ 1)<а([Д£|=0). Характерная особенность столкповит. И. к. п.≈ быстрое убывание их сечений при энергиях внеш. электрона много больших характерных для атомного электрона значений; Q-(] Д£| ≈1)~-£-³, в то время как о( Д5|≈ Q)~£^-1.
Отношение | интенсивностей интеркомбинационной и разреш╦нной спектральных линий используется для измерения электронной плотности в астрофиз. и лаб. плазме (см. Диагностика плазмы). При малой плотности плазмы | пропорционально отношению скоростей возбуждения, т. е. й≈-1, при большой плотности £ определяется отношением вероятностей переходов и соответственно |<1. Характерный масштаб плотности при этом Л/х, где А ≈ вероятность И. к. п., и ≈ скорость перехода с уровня ³Р вследствие столкновений с заряж. частицами.
Лит.: С о б е л ь м а н И. И., Введение в теорию атомных спектров, [2 изд.], М., 1977; Вайнштейн Л. А., С о-б Р л ь м а н И. И., Ю к о в Е. А., Возбуждение атомов и уширение спектральных линий, М., 1979; Пресняков Л. П., Ш е в е л ь к о В. П., Я н е в Р. К., Элементарные процессы с участием мнотозарядных ионов, М., 1986.
И. Л. Бейгмак.
ИНТЕРМЕТАЛЛЙЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ (металлические соединения, моталлиды) ≈ в узком смысле кристаллы, представляющие собой соединения металлов друг с другом; в широком смысле двух- или многокомпонентные кристаллы, электронное строение к-рых имеет характерные признаки металла (или полупроводника). Кристаллич. структуры И. с. отличаются от структуры отд. компонент.
И. с. формируются из жидких, жидкой и тв╦рдой, тв╦рдых фая, а также из неупорядоченного тв╦рдого раствора. В последнем случае они наз. фазами К у р н а к о в а, Кристаллич. структура И. с. устой-яиоа в огранич. областях изменения состава, темп-ры
CrSi Г °f ________
¹≈m≈г
1700
1500
40 60 80 100 Si, % (по массе)
Диаграмма состояния системы Сг≈Si; заштрихованы концентрационные области гомогенности.
п давления (области гомогенности). Напр., диаграмма состояния системы Сг≈Si (рис.) иллюстрирует образованно И. с.: Cr₃Si, Cr₅Sf₃, CrSi. CrSi₂, прич╦м первое и последнее ня них отличаются протяж╦нными концентрац. областями гомогенности. В И. с. существуют равновесные точечные дефекты типа атомов замощения, внедрения или вакансий, концентрация к-рых больше, чем в однокомпонентпых кристаллах. В нек-рых И. с., напр. У111__л«, TiCi__x, JNii__XA1, a≈Fei_д-Sig, концентрация вакансий достигает десятков % от числа узлов репт╦ткп.
По атомпо-кристаллич, и электронному строению _ » различают след, классы И. с.: электронные соединения 162 (фаз ы Ю м ≈Р о з е р и), фазы Л а в е с a (Cu₂Mg,
MgZn₂, MgNi₂), фазы внедрения (гидриды, карбиды, нитриды металлов), И. с. переходных d-ме-таллов друг с другом (а-фазы), И. с. d- п /-металлов о непереходными элементами и др. Электронными соединениями являются, напр,, фазы системы Си≈Zn: CuZn, (р-фаза), Cu₅Zn₃ (у-фаза), CuZn₃ (е-фаза). Их кристал-лич. структура и состав определяются^гл. обр. электронной концентрацией, к-рал для перечисленных И. с. близка к ³/з> ^3l/i3' ⁷/4 (отношение числа валентных электронов к числу атомов). Эти значения соответствуют размерам фермы-поверхности, при к-рых опа касается границ первой Бриллюэна зоны для соответствующих Кристаллич. структур. Для электронного строения таких И. с. характерно расположение уровня Ферми в энергетпч. зоне, образованной s состояниями (зона $-типа), и приблизительная сферичность поверхности Ферми.
Фазы Лавеса характеризуются плотными упаковками с чередованием шаровых слоев, напр. АВСАВС, АВАВАВ и АВАСАВАС, Идеальное отношение атомных диаметров 1,225 (у большинства соединении 1,1 ≈ 1,6). Области гомогенности фаз Лавеса незначительны.
Фазы внедрения имеют простые структуры (объ╦мно центрированная кубич., гранецентрпрованная и др.), образуются из компонентов, для к-рых отношение атомных диаметров меньше 0,59- Области гомогенности обычно широкие за сч╦т того, что часть междоузлий матрицы может оставаться незанятой атомами компонента с меньшим атомным диаметром. Для электронного строе* ния карбидов и нитридов переходных металлов характерно формирование энергетич. подзон из s п р-состоя-ний, генетически связанных с атомами С и N, в низко-энергетич. части электронного спектра и расположение уровня Ферми в области ^-состояний переходного металла. Межатомное взаимодействие сильное.
В И. с. d- и /-металлов с непереходными элементами (В, Al, Ga, Si, Ge и др.) межатомное взаимодействие также велико. Т. к. атомы переходных металлов имеют ближайшими соседями атомы непереходных элементов, то часть d-, /-состояний оста╦тся не вовлеч╦нной в межатомные связи и формирует узкие подзоны в высо-коэпергетич. части электронного спектра. Степень заполнения таких подзон электронами определяет плотность состояний на уровне Ферми и физические свойства И. с.
Разнообразие свойств И. С. обеспечивает их ирактич. использование. Среди И. с. есть сверхпроводники (V₃Si, Nb_gGe, Nb₃Sn и др.), полупроводники и полу металлы (GaAs, HgTe, CrSi₂, CoB, Mg₂Sn и др.), ферромагнетики (SmCo, CoPt и др.), кристаллы с высокими термоэмиссионными свойствами (LaB₀). Нек-рые И. с. обладают высокой тв╦рдостью (WC_T TiB₂, TiC), жаростойкостью (MoSi_a, TiB₂), a TaC ≈ высокой темп-рой плавления.
Лит.: Г е л ь д П. В., Си Доренко Ф. А., Силициды переходных металлов четвертого периода, М., 1971; Мел и-хов В, Д,> Пресняков А. А., Строение и свойства электронных фа:1, А.-А., 1Я73; Тейлор К., Иптермсталли-честн? соединения редкоземельных металлов, пер. с англ., М., 1974; К р и н я к е в и. ч П. И., Структурные типы ннтериетал-ЛИЧРСЬ'ИХ соединений, М., 1Я77; А н ц р и е век и и Р. А., У м а н с к и и Я. С., Фазы внедроиия, М., 1977; Глад ы-ш е в с н и и Е. И., Е о д а к О. И., Кристаллохимия ин-терметаллических соединений редкоземельных металлов, .Львои, 1982; Кузьма Ю, Б., Кристаллохимия Ооридов, Львов, 1Й83; Свойства, получение и применение тугоплавких соединений. Справочник, под ред. Т. Я. КоСсшатюиой, М., 198R.
П. В. Ге.лъд, Ф. А. Сидоренко.
ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫЙ КОМПАРАТОР ≈ интерферометр дли абс. измерении длин концевых мер (намерит, плиток) сравнением (компарировашюм) их е длиной волны енота X, а также для относит, измерений длин двух концевых мор.
Наиб, часто в качестве И. к, применяется интерферометр Корстерса, к-рый представляет собой сочетание интерферометра Майкелъсона и приименного монохро-матора (рис., а). Свет от источника линейчатого спектра L (гелиевой, криптоновой или кадмиевой разрядной трубки) направляется конденсатором О на горизон-