. Комплексные пространства с И. м. (ыаз. пссн-догильбертовыми пространствами) находят применение в квантовой теории поля.
Лит.: Ландау Л. Д'.( Л и ф ш и ц Е. М., Тоория поля, 7 изд., М., 1988; Рашсвсннй П. К.т Риманова геометрия и тензорный анализ, 3 изд., М., 19G7; Боголюбов Н. Н., Ш и р к о в Д. В., Введение в теорию квантованных полей, 4 изд., М., 1984; Надь К, Л., Пространства состояний с индефинитной метрикой в квантовой теории поля, пер. с англ., М., 1969; А з и з о в Т. Я., Иохвидои П. С., Основы теории линейных операторов и пространствах с индефинитной метрикой, М., 1986. А. И. Оксдк.
ИНДИЙ (Indium), In,≈ хим. элемент III группы пе-риодич. системы элементов, ат. номер 49, ат. масса 114,82. В природе представлен двумя изотопами: стабильным 1131п (4,28%) и Слабо р--радиоактивным 1151п (95,72%, Г^^б-Ю14 лет). Электронная конфигурация внеш. оболочки 5s2p. Энергии последоват. ионизации 5,786» 18,869 и 28,03 эВ. Кристаллохпм, радиус In 0,166 нм, нова 1п3+ 0,092 нм. Значение электроотрицательности 1,49.
В свободном виде ≈ серебристо-белый мягкий металл. Кристаллйч. реш╦тка тетрагональная с постоянными реш╦тки а=0,4583 и с=0,4936 нм. Плотн. 7,31 кг/дм3, *└л=156,78° С, гКип=2024° С. Тепло╦мкость С^≈26,7 Дж/(моль-К), теплота плавления 3,26 кДж/моль, теплота кипения 237,4 кДж/моль, Коэф. линейного расширения 33-10 ~б К"1 (20°С), теплопроводность 87≈80 Вт/(м-К) (при 250≈400 К). Уд. сопротивление 0,0837 мкОм*м'(0° С), температурный коэф. сопротивления 0,00490 К"1 (0≈100° С), модуль упругости 10,5 ГПа. Тв. по Бринеллю 9 МПа, предел прочности при растяжении 2,25 МПа, предел прочности при сжатии 2,15 МПа.
В хим. соединениях проявляет степень окисления +3, реже -f-1 и -|-2. На воздухе при комнатной темп-ро устойчив, при нагревании окисляется.
Оси, область применения И. и его соединений (InSb, InAs и InP) ≈ полупроводниковые материалы. Так, InSb применяют в детекторах ИК-излучения. InAs используют также в приборах для измерения напряженности магн, поля. Легирование микроколичества-ми И. полупроводниковых: Si и Ge применяют для создания дырочной проводимости и р≈л-переходов. Кроме того, И. используют как герметизирующий, прппойнып и коррозионно-стойкий материал в электронной промышленности. Индиевые покрытия обладают высокой отражат. способностью и могут применяться для изготовления зеркал и рефлекторов. с. С. Еердоносов.
ИНДИКАТРИСА (франц. indicatrice, букв. ≈ указывающая) (указательная поверхность) ≈ вспомогательная поверхность, характеризующая зависимость к.-л. свойства среды от направления. Для построения И. из одной точки проводят радиусы-векторы, длина к-рых нропорц. величине, характеризующей данное свойство в данном направлении, напр, электропроводность, показатель преломления, модули упругости.
Индикатриса в о п т и к е ≈ линия иди поверхность, изображающая зависимость от направления характеристик светового поля или пространств, (угл.) характеристики оптич. свойств к.-л. тела (яркости, силы света, отражат. способности, показателя преломления и др.). Для получения И. строят нолярыую диаграмму, из центра к-рой в соответствующих направлениях откладывают радиусы-векторы, пропорциональные в принятом масштабе величине исследуемой оптич. характеристики. Линия (поверхность), соединяющая концы этих отрезков, и будет И. Применительно к источникам излучений понятие И. часто заменяют термином диаграмма направленности. И. рассеяния изображает распределение рассеянного света для разд. углов наблюдения. И. в оптике часто применяют в случаях, когда аналитич. выражение соответствующих угл. зависимостей сложно или неизвестно. Понятием И. широко пользуются при выполнении сьстотехн. расч╦тов, а также в кристаллооптике.
Лит.: Ландсберг Г. С,, Оптика, 5 изд., М., 1976; Мешков в. В., Основы светотехники, 2 изд.. М., 1У79.
Л. Н. Капорский.
ИНДУКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ в цепи переменного тока ≈ реактивная часть сопротивления двухполюсника (см. Импеданс}, в к-ром синусоидальный ток отста╦т по фазе от приложенного напряжения подобно тому, как это имеет место для катуш--ки самоиндукции. В идеальном случае, когда катушка самоиндукции может быть охарактеризована единств, параметром ≈ индуктивностью L ≈const, И. с. определяется как отношение амплитуд напряжения и тока и равно X/;≈ ML (to ≈ циклич. частота). При этом ток отста╦т по фазе от напряжения точно на угол п/2, вследствие чего в среднем за период не происходит ни накопления эл.-магн. энергии в катушке, ни е╦ диссипации: дважды за период анергия накачивается внутрь катушки (в основном в виде энергии маги. ∙ ноля) и дважды возвращается обратно источнику (или во внеш. цепь).
Принято считать, что реактанс произвольного двухполюсника (мнимая часть его импеданса Z≈R-\-lX.} имеет индуктивный характер, если он положителен [Х>0> при ехр(1Ш)-описании временной зависимости величин]. Именно этот признак, а не пропорциональность X частоте со характерен для И. с. В принципе ф-ция X (<о) для И. с. может быть произвольной (известные ограничения накладывают только Крамерса≈ Кро-нига соотношения)1, более того, даже реактивная энергия, связанная с П, с*, не обязательно должна быть преимущественно магнитной. И. с. в микросхемах довольно часто воспроизводятся с помощью фазовраща-телей (гираторов). Отметим также, что один и тот же двухполюсник может вестп себя по-разному в разл. диапазонах частот. Так, колсбат. контур, составленный из параллельно соедин╦нных катушек самоиндукции (с индуктивностью L) и конденсатора (с ╦мкостью С],
на частотах ниже резонансной са-,= 1/У LC вед╦т себя как И. с., а при ш>а>п ≈как ╦мкостное сопротивление. М. А. Миллер, Г. В. Пермитип.
ИНДУКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ в аэродинамике ≈ часть аэродинамического сопротивления, крыла, обусловленная вихрями, оси к-рых берут сво╦ начало на крыле п направлены вниз по потоку. Этп
v
Рис. 1. Схема возникновения торцевого вихря в результате перстекаштя воздуха из области под крылом в область над крылом.
т. н. свободные вихри происходят от перетекания воздуха у торцов (рис. 1) из области под крылом в область над крылом. Течение воздуха у торцов вызывает поток, направленный над крылом от торцов к плоскости симметрии, а под крылом ≈ от плоскости симметрии к торцам; в результате п спутной струе, или следе, за крылом происходит вращение каждой частицы вокруг оси» проходящей через не╦ и параллельной местному вектору скорости v потока; направление вращения при этом противоположно для левого и правого полукрьгла (рис. 2). Т. о,, возникает непрерывная система вихрей» отходящих от каждой точки поверхности крыла. В случае крыла большого удлинения можно считать, что свободные вихри образуют плоскую вихревую пелену; для крыла малого удлинения вихревая система является пространственной.
Свободные вихри вызывают (индуцируют) в области между торцами крыла потоки, направленные вниз, к-рые, налагаясь на набегающий поток, отклоняют последний вниз па угол Да (угол скоса потока). В результате подъ╦мная сила элемента крыла, к-рал но тсоре-
Ш
О
X
141
