x и
ш
Т
х <
628
тории, содержащая счетное множество седловых перио-дич. траекторий.
Все теоремы теории бифуркаций являются, в сущности, критериями существования той или иной структуры в фазовом пространстве. Для проверки разл. критериев можно использовать но только апалитич,, но и численные методы. При этом, поскольку речь ид╦т о проверке условий теорем, а не о прямом моделировапии, с помощью ЭВМ можно получать строгие результаты.
Лит.: Андронов А. А., В и т т А. А., X а И к и н С. Э., Теория колебаний, 3 изд., М.т 1981; Биркгоф Д. Д., Динамические системы, пер, с англ., М., 1941; Немы ц кий В. B,t GrcnaEioa В. В., Качественна)! теория дифференциальных уравнений, 2 изд.,М.≈ Л., 1949; Качественная теория динамических систем второго порядка, М., 1966; Арнольд В. И., Математические методы классической механики, 2 изд., М., 1979; Н и т е ц к и 3-4 Впадение в дифференциальную динамику, пер, с англ., М., 1975; Б а у т и н Н. Н., Л с о н т о-в и ч Е, А., Методы и приемы качественного исследования динамических систем на плоскости, М., 1976.1
В. С. Афрайлювич, М. И. Рабинович.
ДИНАМИЧЕСКИЙ ВИНТ ≈ совокупность действующих на тв╦рдое тело силы FTA пары сил с моментом М, лежащей в плоскости, перпендикулярной к силе f1 (векторы F и Ж параллельны). К Д. в. приводится в наиб, общем случае произвольная система действующих на твердое тело сил. Дальнейшее упрощение Д. в. невозможно, т. е. его нельзя заменить только одной силой (равнодействующей) или одной парой сил. Можно лишь, сложив силу V с одной из сил пары, привести Д. в. к двум скрещивающимся силам. ДЙНГЛА ТЕМПЕРАТУРА ≈ феиомснологич. параметр, имеющий размерность тсмп-ры и характеризующий размытие Ландау уровней. Д. т. определяет ампли-тудУ квантовых осцилляции в маги, поле в металлах. ДИОДЫ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ≈ широкий класс двухполюсных твердотельных приборов, объединяющим признаком к-рых является уыиполярность проводимости. Действие Д- т. основано па свойствах р^п-перехо-дов или переходов металл≈полупроводник (см. Шотт-ки барьер). По назначению выделяют неск. типов Д. т. Силовые выпрямители (вентили) ПЧ-токов, макс, обратное напряжение С'*пбрк^Рых лимитируется электрич. пробоем обратно смещ╦нного р≈«-перехода (достигает 1000 В), макс, прямой ток /макс лимитируется необратимым (приводящим к разрушению прибора) тепловым пробоем (/.≈-1000 А}. Высокочастотные (импульс н ы е) д и о д ы, используемые как детекторы, смесители, генераторы гармоник и т. п., время восстановления т≈1 ≈10 не. Для детектирования СВ Ч-излучения применяют Д. т. с г~10≈100 не. Стабилизаторы напряжения (опорные диоды), распределение и концентрация легирующих примесей в к-рых подбираются так, чтобы обеспечить требуемое С'обр. За сч╦т пробоя осуществляется стабилизация напряжения на диоде. Осп. параметры ≈ стабилизируемое напряжение, макс, ток через диод, дифференц. сопротивление па участке стабилизации. В а р а к т о-р ы, действие к-рых основано па нелинейной зависимости барьерной ╦мкости р≈n-порехода от напряжения смещения. Используются в параметрических усилителях, смесителях частот и др. Фотодиоды служат для регистрации световых сигналов. Работа основана на разделении электрич, полем р ≈ га-перехода электронно-дырочных пар, генерируемых световыми квантами в окрестности р≈«-перехода. В результате разделения во внеш. цепи протекает ток либо на контактах возникает фотоэдс. Осн. параметры ≈ чувствительность, уровень шумов, квантовая эффективность (отношение электронного потока к интенсивности потока световых квантов), быстродействие. Разновидность фотодиодов ≈ солнечные батареи. Светодиоды применяются в системах оптич. связи, индикации и освещения. Действие основано на излучат, рекомбинации электронно-дырочных пар в прнмозоштых полупровод-пиках (типа GaAs; подробнее см. Светоизлучающий диод]. Разновидностью светодиодов являются инжек-ционные лазеры.
При классификации Д. т. по фнз. принципу выделяют туннельные диоды, , в к-рых толщина обедн╦нного слоя столь мала (~100 А), что энергитич. барьер между р- и n-областями оказывается «прозрачным» для тунне-лирования электронов из валентной зоны в зону проводимости и обратно. Они изготавливаются из высоко-легиров. (вырожденных) полупроводников. Суперпозиция туннельного и обычного зонного механизмов проводимости обусловливает jV-образную вольт-амперную характеристику (ВЛХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления. Эта особенность ВАХ и определяет гл. область применения туннельных диодов ≈ генерацию СВЧ-излучсиня небольшой мощности.
Для генерации СВЧ-излучспия используют и л а-винно-прол╦тные диоды. В них в силу спец. профиля распределения легирующих примесей узкая область с высокой напряж╦нностью элоктрич. поля (область лавинного умножения носителей) содействует с областью со слабым полем (дрейфовая область или область пролета). При определ╦нных фазовых соотношениях между напряжениями на этих областях возникает динами?. отрлцат. сопротивление всей структуры па частотах порядка обратного времени прол╦та носителей, что и приводит к усилению либо генерации колебании.
Для усиления и генерации служат также Ганпа диоды, в к-рых р≈ n-персходы отсутствуют, а усиление-и генерация СВЧ-кзлучения происходят за сч╦т объ╦много отрицат. сопротивления, возникающего в силу особенностей мсждолинного распределения электронов, напр. в GaAs (см. Ганна эффект].
По технол. признаку Д. т. классифицируют на: с ц л а и н ы о, изготавливаемые внланлиписм таблетки металла в полупроводник (расплав обогащается примесью, обеспечивающей тип проводимости, противоположный типу исходного полупроводника, па границе расплава образуется р ≈п-псрсход}; д и ф ф у н н-о н н ы е, изготавливаемые высокотемпературной диффузией примесей, шшылсшшх па поверхность кристалла, в его толщу (варьируя телш-ру и длительность диф-фу знойного процесса, можно управлять глубиной «залегания» р≈n-перехода); э п и т а к с и а л ь н ы е, в к-рых р ≈ ^-переход получается в процессе эпптак-сиалыюго роста полупроводниковой пленки на монокристалле того же вещества, но с противоположным типом примеси; точечно-контактные, где р≈п-переход или пюттки-барьер образуется у контакта, напр., вольфрамового острия с полупроводником. Для изготовления Д. т. используются также ионная имплантация и радиац. легирование.
В отд. случаях название отражает структурные признаки прибора. Напр., в р ≈ г ≈ п-диодах между высоколегированными р- и «.-областями расположен слой полупроводника с проводимостью, близкой к собственной. Они применяются как высоковольтные выпрямители, в ВЧ-схемах, быстродействующие фотодетекторы и др. В диодах Шотткн слой, обедн╦нный осн. носителями в припоиерхностиой области полупроводника^ возникает в силу разницы в работах выхода полупроводника и металла. Диоды Шоттки используют гл.
обр. в ВЧ- и СВЧ-схемах.
Лит.: П и к у с Г. Е., Основы теории гюлупроиодникопых приборов, М., 1965; 3 и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., кн. 1 ≈ 2, М., 1984. В. Гергелъ.
ДИОПТРИЯ (от греч, dia ≈ через, сквозь и opteuo ≈ вижу) (дп, О}≈ единица оптич. силы линзы и др. осесим-метричных оптич. систем, равная оптич. силе лшиы или сферич. зеркала с фокусным расстоянием 1 м. ДИПОЛЬ МАГНИТНЫЙ (от грсч. di-, в сложных словах≈дважды, двойной и polos ≈полюс)≈аналог диполя электрического, к-рый можно представлять себе как два точечных магн, заряда (±<7лл)> расположенных на рае-стоянии I друг от друга. Характеризуется динолышм моментом, равным по величине />/д ~"i = 7mJ и направ-
")
}
