баевская рентг. камера), или плоскими, когда нет необходимости регистрировать все днфракц. линии. Если кристаллики, составляющие образец, относительно велики, то для получения равномерного распределения дифрагированного излучения по всей поверхности конуса и, следовательно» равномерного почернения линий па дебаеграмме образец вращают вокруг оси кассеты с небольшой угл. скоростью.
Угол между образующей к.-л. конуса, напр, i-ro, и направлением первичного пучка равен 2v/; угол О, {брэгговский угол) связан Брэгга≈Вулъфа условием с межплоскостпым расстоянием системы атомных плоскостей, дающих данное отражение. Определяя по дебаеграмме углы Ог-, можно вычислить межплоскостные
Лит.: 1) Гинье А,, рентгенография кристаллов, пер. с франц.,М., 1961, тл. 4,5, 7,8, 10; 2) Д ж е и м с Р., Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей, пер. с англ., М., 1950, гл. 10; 3) М и р к и н л. М., Справочник по рентгено-структурному анализу поликриеталжш, М., 1961; 4) Ума EI-с к и и Я. С., Рентгенография металлов, М., 1967; 5) И в в р о-н о в а В. И., Р е в к е в и ч Г. П., Теория рассеяния рентгеновских лучей, М., 1978, гл. Г>, 7. А. В, Колпаков.
ДЕ-БРбЙЛЕВСКАЯ ДЛИНА ВОЛНЙ ≈ длина волны де Бройля частицы.
ДЕВИАТОР ДЕФОРМАЦИИ (от лат. devio ≈ уклоняюсь в сторону) ≈ тензор, определяющий в окрестности топки малую деформацию, не связанную с изменением объ╦ма; выражается через компоненты тензора деформации е;/ ф-лами:
"~ о. С*
22
^231
≈ ср. деформация. При Используется в механике сплош-
ЭТОМ »11-г£В2~ГэЯЗ==
ной среды.
ДЕВИАТОР НАПРЯЖЕНИЙ ≈ тензор, определяющий напряжения в точке, не связанные с гидростатич. напряжением (всесторонним давлением). Д. н. выражается через компоненты тензора напряжений о,-/ (см. Напряжение механическое) ф-лами:
Рис. 1. Схема метода Дсбая ≈ Шеррсра; / ≈ первичный луч; 2 ≈- коллиматор; a ≈ рентгеновская пл╦нка в цилиндрической кассете; 4 ≈ образец в форме столбика или проволоки, расположенный на оси кассеты; 5 ≈ дифракционные линии па пл╦нке;
∙О,, -frs ≈ углы Брэгга.
расстояния в кристаллич. реш╦тке образца. Эти данные в сочетании с измерением интенсивностей дифракц. линий позволяют определить размеры элементарной ячейки, тип реш╦тки, точечную и иногда пространств. группу симметрии кристалла (1≈3]. В простых случаях уда╦тся установить и координаты атомов в элементарной ячейке. Фотометрия, исследование профиля дифракц. линии позволяет установить распределение кристаллитов в образце по размерам и возникший по тем или иным причинам разброс значений параметра реш╦тки в них,
Д.≈Ш. м. применяется в технике, физике, химии, минералогии. С его помощью исследуют фазовый состав
Рентгеновские лучи X Ч54А
1122
ID Ьейтроны
0002
20
30 Угол й-, град
40
1122
10 20 30 Угоя ^, град
Рис. 2. Дифрактограммы порошка графита {вверху ≈ рентгеновская дифрактограмма, внизу≈нсйтронограмма). Цифры у дифракционных максимумов указывают миллеровские индексы
отражения.
∙образцов, структурные изменения, происходящие в них под влиянием старения, термической и механич.
∙обработки, кинетику рекристаллизации и возврата металлов (см. Металлофизика), перестройку реш╦тки по.ч влиянием ионизирующего излучения. Этот метод
∙позволяет исследовать текстуру пластически деформированных образцов, а с помощью прецизионных измерений положений дифракц. линий можно установить присутствие остаточных упругих напряжений ([4, 51;
∙см. Рентгенография материалов},
Аналогичный метод применяется в нейтронографии <рис. 2), в т. ч. магнитной.
м
О ш
≈ гидростатич. (среднее) напряженно. При этом *ц+*22Н~*зэ=0' Используется R механике сплошной среды.
ДЕВИАТОР СКОРОСТЕЙ ДЕФОРМАЦИИ ≈ тензор, определяющий часть тензора скорости деформации, не связанную с изменением объ╦ма. Д. с. д. выражается через компоненты тензора скорости деформации так же, как депиатор деформация выражается через тензор деформации.
ДЕИОНИЗАЦИЯ г а з а ≈ исчезновение носителей свободного электрич. заряда (положительных и отрицательных ионов и электронов) из занимаемого газом объ╦ма после прекращения электрич. разряда. К Д. приводят объ╦мная рекомбинация ионов и электронов, их диффузия к границам занимаемого объ╦ма и рекомбинация их на стенках, а также выход эаряж. частиц из занимаемого объ╦ма под действием внеш. электрич. поля. Время, необходимое для уменьшения концентрации носителей заряда в определ. число раз (напр., в 103 или в 10е раз от нач. концентрации), паз. временем Д. Оно является важной характеристикой газоразрядных к др. приборов, пля работы к-рых существенно поддержание определ. степени ионизации. Время Д-зависит от природы газа, геометрии занимаемого им объ╦ма, наличия и изменения во времени внеш. электрич. поля, а также от распределения полей пространственных зарядов.
Особенно медленно объ╦мная рекомбинация происходит в чистых электроположительных газах, не способных образовывать отрицат. ионы. Таковы применяемые в электровакуумных приборах Аг, Ne, He, Кг, Хе. В электроотрицат. газах, в к-рых нейтральные частицы образуются с помощью рекомбинации между собой положит, и отрицат. ионов, объ╦мная рекомбинация происходит быстрее на неск. порядков величины.. Поэтому прибавление электроотрицательных примесей к чистым электроположит. газам значительно ускоряет Д. плазмы пут╦м рекомбинации в объ╦ме. В ряде случаев, напр. при работе антенных переключателей, практически важно исчезновение из разрядного промежутка именно электронов; поэтому нередко практич. значение имеет не время полной Д. разрядного промежутка, а время его деэлектронизации, т. е. время исчезновения свободных электронов. Это время сокращают прибавлением к основному газу электроотрицат. примесей.
При малых давлениях газа осн. роль для Д. плазмы играет рекомбинация заряж. частиц не в объ╦ме, а на поверхности тв╦рдых тел при диффузии к ним электронов и ионов. На этом основаны применение спец. сеток и метал лич. цилиндров около анодов в ртутных выпря- -≈_ мптелях и др. при╦мы изменения конфигурации разряд- ***
")
}
