1tom - 0360.htm
422
Ж мини
О О
ш
минимума па кривой плавления при Т≈0,32 К. ffo-этому кристаллизация "Не при Г<0,32 К в условиях, близких к адиабатическим, вызывает понижение темп-ры (Иомеран-чука эффект], Эффект Померанчука дожит в основе одного из наиб, эффективных методов получения тсмп-р порядка 1 мК (см. Низкие температуры).
Лит.: Андреев А. Ф., Диффузия в квантовых кристаллах, «УФН», 1У7й, т. П^^с. 251; Л о у н а с м а а О. В., Принципы и методы получения температуры ниже 1 К, пер. с англ,, М., 1977; Квантовый жидкости и кристаллы, [СО. ст.], пер. с англ., М., 1979; К е ш к ш с в К, О., Паршин А. Я,, Бабкин А. В., Кристаллизационные волны в Не,', «ЖЭТФ>>, 1981, т. йО, с. 716; W I I k e J., Tlie properties of liquid and solid hnlium, Oxf., 1967. Л. Я. Паршин. ГЕЛИЙ-НЕОНОВЫЙ ЛАЗЕР ≈см. вот. Газоразрядные лазеры.
ГЕЛИКОН (от греч. helix, род. падеж, helikos ≈ кольцо, спираль) ≈ слабо затухающая эл.-магн. волна, возбуждающаяся в газовой плазме или плазме твердых тел, к-рая находится в пост. мат. поле Н. Электрич, поле Г. К эллиптически поляризовано в плоскости, перпендикулярной If. Степень эллиптичности равна cos ft, где $ ≈ угол между If и направлением распространения волны (волновым вектором k). При этом вектор J? вращается в ту жо сторону, в какую вращаются избыточные носители заряда в поле II. Мат. поле волны имеет круговую поляризацию в плоскости, перпендикулярной Н.
Г. возникает за сч╦т педиссипативного холловского (электрич.) дрейфа заряж. частиц (носителей заряда) в сильном мат. и эл.-магн. нолях (см. Холла эффект]. В металлах существование Г, теоретически предсказано О. В. Константиновым и В. И. Иерелем, в полупроводниках≈ П. Эгреном (P. Aigrain). В ионосферной плазме Г. известны под назв. свистящие (или в и с т л е р ы).
Спектр Г. квадратичный:
уровнями &Q, бесстолкиовителыюе затухание Г. испытывает гигантские квантовые осцилля-
ц и и. На низких частотах при Л-ш-сАГ зто затухание описывается ф-лой:
ch~2
где М
ЧИСЛО
ближайшее к величине
≈ a целое
Г. может взаимодействовать со звуковыми колебаниями. Наиб, сильным это взаимодействие оказывается в области т. н. г е л и к о и-ф о л о н н о г о ре я о-н а н с а. Спектр и затухание связанных геликон-звуковых волн определяется из дисперсионного ур-пия (при ф^О):
[ш
2 ≈
о)
2*0)7]
(6)
где р ≈ плотность кристалла, s ≈ скорость звука. Взаимодействие звука с Г. обусловлено индукц. силой [J'H]/c(j ≈ плотность тока), действующей со стороны электронов на кристалл, и индукц. электрич. полем [и ∙_//"]/<:, где а ≈ скорость распространения колебаний кристаллич. реш╦тки.
Лит..' Константинои О. В,, П е р е л ь В. И., О возможности прохождении электромагнитных воли чсроа металл в сильном магнитном поло, «ЖЭТФ», 19(30, т. 38, с. 161; Aigrain P., L(^s (.Helicons» dans Irs s^miconducteurs, in: Proc. Int. Conf. on Srnii conduct ion Plrys., Prague, I960, Prague, 1961, p, 2^4; К a n e r K. A,, S k о b о v V. G., Electromagnetic waves in metals in a magnetic field, «Adv. Phys.», 1968, v. 17, p. 605. " Э. A. fftiwp. ГЕЛЛ-МАНА МАТРИЦЫ ≈ унитарные 3x3 матрицы
Хд (д=1, 2,
условию
,8), удовлетворяющие SpA.rt = 0 (а, Ь=\\, 2. . . . , 8)
_ , └ _ - ---- 1 т* Ч 1 ' ' * ' ._. _
Кронекера символ). Явный вид матриц Ка следующий:
(/<∙) =
kscH cos
(1)
где ы ≈ частота, NI и N% ≈ концентрации электронов и дырок, е ≈ их заряд. Декремент затухания у Г. в металле и вырожденном полупроводнике определяется выражением:
д) Зл feoF
≈ 'I'Te
sin2 -О1
(2)
/О 1 ' 100
\о о о. /о о г
'000 1 О О
О О
/О ≈ i О
* о о \\о о о
где v ≈ частота столкновений носителей заряда, Q ≈ циклотронная частота, v^ ≈ ферми- скор ость электронов. Первый член во (2) связан со столкиовительным поглощением, второй ≈ описывает бссстолкновитель-пое маги. Ландау затухание, обусловленное электронами, движущимися в фазе с волной. Сравнение частоты Г. w с логарифмич. декрементом затухания у показывает, что Г. существует только в сильном доле /У, когда частота соударений носителей v<$;Q, kvp^Q и 0)<Q. Спектр Г. простирается вплоть до предельной частоты fc>£, величина к-рой зависит от соотношения kvp, ш и v. Если fcy/^cv, то to^=S,2, т. е. предельная частота обусловлена сильным циклотронным поглощением (см. /.(иклотропп-ый резонанс]. При kup^v величина Ш£ обусловлена допплер-сдиинутыы циклотронным резопалсоы:
co£~Q ≈ kv^. (3) Если kv^-tu то:
0 i О
/1/J/li О
( 0 1/"|/"3
\ 0 0
Матрицы Ла введены М. Гелл-Маном (М. Gell-Mann) в 1961 как нелосродств. обобщение Паули матриц при построении SU (З)-симметрмчной теории элементарных частиц [см. Симметрия SU(3)\\. Матрицы х/2 А,я удовлетворяют коммутационным соотношениям генераторов группы
где «>п ≈ плазменная частота электронов.
Г. низких частот могут наблюдаться ь форме стоячих
волн в образце конечных размеров, когда все три ком-
поненты волнового вектора принимают дискретные
значения А~/≈ «./я/а,- (i=;r, i/, s), где п; ≈ целые числа,
в/ ≈ размеры образца вдоль осой х, у, z.
__ _ При низких теми-pax, когда энергия теплового двшке-
428 ния во много раз меньше расстояния между Ландау
где 1abc(ai ^' с=1» 2, . . ., 8) полностью антисимметричны относительно перестановок своих индексов а над. /-символами или структурными константами группы SO (3). Вычисление да╦т для испсчсзаютцкх компонент /-символов:
/147 ~ /240 == /257 = /34Г> = ≈ /15fl = ≈ /367 ~ i Z\\ /123^- 1-
Часто встречается также термин «с^символы», к-рыв определяются через антикоммутатор двух матриц Ка:
i
rt, 6, с = 1,2, . . ., 8),
где/ ≈ единичная матрица 3x3. Величины йаьс пол" иостью симметричны относительно перестановок своих индексов.
Лит.: Адлер С., Д а ш о н Р., Алгебры тшшн и их применении в физике частиц, пер, с англ., М,, liJTO.
В. И. Захаров*
")
}
