проницаемость, т* ≈ эффективная масса носителей, N ≈ концентрация примесей, Ф (д:) ≈In (i-|-j)≈ .T/(l-f-ar), где х≈8m*£/.,2<?2, 4 ≈ величина, обратная дебаевско-му радиусу экранирования. Из Б.≈ X. ф. следует, что рассояние на ионизованных примесях становится -более эффективным при малых анергиях носителей и, следовательно, при низких теми-рах.
Б. ≈ X. ф. получена в Гюрноаском приближении теории столкновений с уч╦том экранирования примесей свободными носителями. При ее выводе предполагается, что примеси расположены в кристаллит, реш╦тке беспорядочно (см, Pard'XHue носителей заряда).
Лит.: Brooks П., Scattering by ioni/vd impurities in semiconductors, <iPhys. Hi-v.», 1951, v. 83, p. 879; его же. Theory of tbp electrical propnrtios of Germanium and Silicon, в кн.: Advances in «iKitrtmics and electron physics, ed. by L. Mar» toil, v. 7, N.Y,, ISJj.'i. i». tf;~,; Бонч-Бруенпч В. .11., К а л а га н и к о в С. Г., Физика полупроводников, М., П>77; 3 Р. к г (3 р К., Фи:шк;д полупроводников, пер. с лнгл., М., 1!)77.
Э. М. Эпштейи.
БРУС в сопротивлении материалов ≈ деформируемое тв╦рдое тело, поперечные размеры к-ро-го много меньше продольного. Линия, соединяющая центры тяжести поперечных сечений Б., наз. осью Б, В зависимости от формы Б. могут быть ломаные, кривые; если ось Б. прямолинейна, Б. наз. прямым. Прямой Б, пост, сечения пал. стержнем, Б., работающий на изгиб,≈ балкой.
Б. часто встречаются в качестве элемента конструкции, сооружения или машины, поэтому разработаны спец, методы расч╦та напряжений и деформаций Б. Типичной для расч╦та Li. является гипотеза плоских сечений: при растяжении, сжатии, кручении или изгибе Б. ого поперечное сечение, составленное из материальных частиц, оста╦тся плоским и перпендикулярным деформированной оси Б. (см. Изгиб, Кручение). В ряде случаев сложную конструкцию удлин╦нной формы (корабль, крыло самолета, телебашню и др.) для оценки суммарных деформации также рассчитывают Как Б. В.С.Ленский.
БРЭГГА ≈ ВОЛЬФА. УСЛОВИЕ ≈ определяет направление возникновения дпфракц. максимумов упруго рассеянного на кристалле ронтг. излучения. Выведено в 1913 независимо У. Л. Брэггом (W. L. Bragg) и
Подающий
Отраженные лучи
Отражение иг-лу-чения от системы атомных п.ж>ск1>-стей. АВ~-ВС^ = 2tt sin т& ≈ р;ь!-ъость хода между лучами 1 и£; 20 угол между падающим и отраженным лунами.
Прошедший луч
Г. В. Вульфом. Если кристалл рассматривать как совокупность параллельных атомных плоскостей, отстоящих друг от друга на расстоянии d, то процесс дифракции можно представить как отражение излучения от системы этих плоскостей. Максимумы интенсивности (дифракционные максимумы) возникают при этом только в тех направлениях, в к-рых все отраж╦нные данной системой атомных плоскостей волны имеют одинаковые фазы. Это возможно, если разность юда АВ-\\-ВС между двумя отраж╦нными от соседних
плоскостей волнами, равная 2d sin ф (рис.), кратна целому числу длин волн X. Т. о., Б.≈ В. у, имеет вид:
2d sin ft ≈ пХ, (1)
где целое положит, число ге наз. порядком отражения, ft ≈ угол скольжения падающего луча. Если $ удовлетворяет условию (1), то он паа. углом Брэгга. Дифракц. луч распространяется под углом 2ft к первичному лучу. Б.≈ В. у. для каждой данной системы атомных плоскостей можно получить из общих условий интерференции на тр╦хмерной реш╦тке, выбирая соответствующим образом систему координат (см. Дифракция рентгеновских лучей].
Б.≈ В. у. позволяет определять межплоскостныс расстояния d в кристалле, т. к. К обычно известна, а углы ft измеряются экспериментально. Условие (1) получено без уч╦та эффекта преломления для безграничного кристалла, имеющего идеально-периодическое строение. В действительности дифрагированное излучение распространяется в конечном угловом интервале ftiAft, прич╦м ширина этого интервала определяется в кпнематич. приближении числом отражающих атомных плоскостей {т. е, пропорциональна линейным размерам кристалла), аналогично числу штрихов дифракционной реш╦тки. При динамич. дифракции величина Aft зависит также от величины взаимодействия рентгеновского излучения с атомами кристалла (см. Поляризуемость рентгеновская). Искажения реш╦тки кристалла в зависимости от их характера ведут к измс-неншо угла ft, или возрастанию Aft» или к тому и другому одновременно.
Б.≈В. у. является исходным пунктом исследований в рентгеновском структурном анализе, рентгенографии материалов, рентгеновской топографии,
Б.≈ В, у. можно дать наглядную векторную трактовку. Дифракция возникает при выполнении условия (рис.):
fc* = fro-fflN (2)
где kg, A"e ≈ волновые векторы первичной и дифрагированной волн соответственно, д ≈ вектор обратной реш╦тки; |ft0|=|ft^|, |дг|=2лД2. Условие (2) выражает закон сохранения кеазиимпулъса впериодич. среде и эквивалентно условию (1).
Б.≈ В. у. остается справедливым при дифракции у-изл учения, электронов и нейтронов в кристаллах (см. Дифракция частиц], при дифракции в слоистых и нериодич. структурах излучения радио- и оптического диапазонов, а также звука.
В нелинейной оптике и квантовой электронике при описании параметрических и неупругих процессов применяются разл, условия пространственного синхронизма ВОЛН, близкие IIO СМЫСлу Б.≈ В. у. А. В. Колпаков.
БРЗГГОВСКОЕ ОТРАЖЕНИЕ ≈ схемы дифракции рентгеновских лучей* при к-рой падающий и дифракционный лучи лежат по одну сторону от поверхности кристалла (рис., а). В том случае, когда падающий и дифракционный лучи находятся по разные стороны кристаллич. пластины {рис., б), имеет место л а у э в-с к о е прохождение (Л. п.). Если угол ф между системой атомных плоскостей, находящихся в отражающем положении, и входной поверхностью кристалла равен нулю, то Б. о. паз. симметричным, в остальных случаях ≈ асимметричным. При ф=я/2 имеет место симметричное Л. п.
Б, о. и Л. п. являются простейшими фундам. задачами дипамич. дифракции рентг. лучей, полностью пы-являющими е╦ осн. особенности. Введение в рассмотрение схем Б. о. и Л. п. имеет смысл только для днухлу-чевой дипамич. дифракции. При многолучевой дифракции одновременно имеются и отраж╦нные и прошедшие дифракц. лучи, к-рые могут взаимодействовать, что не позволяет выделять к.-л. простейшие схемы. При кпнематич. дифракции, когда обратным влиянием
Ш
О
U
ш О
")
}
