(рис. 2). Полуширина о распределения по полным сталлов тугоплавких металлов, а также хим. соеди-
энергиям при Г=ОК определяется ф-лой нений с миталлич. проводимостью (LaB8, ZrC и др.)
_└ -,, -)о-9Е"т/≈// \\ /й\\ в сверхвысоком вакууме (поверхность эмиттера ос-
а~ ' / К ф (W- ( ) та╦тся чистой в течение часов или суток) позволило
При ф=4,4 эВ и lg/ от О до 7а варьируется от 0,08 уточнить параметры А. э. для этих веществ,
до 0,2 эВ. Величина о с повышением Т возрастает, Применение. Металлич. автоэлектронные эмиттеры
в частности при 300 К (в том же диапазоне ;') а изме- используются в тех случаях, когда требуется высокая
няется от 0,17 до 0,3 эВ. Форма спектра отклоняется плотность тока /, т. е. там, где необходимы большие
от теоретической (в модели свободных электронов) при токи либо концентрир. электронные пучки, Преиму-
сложной конфигурации ферми-поверхности или при ществами автоэлектронных эмиттеров являются от-
наличии адсорбир. молекул и атомов на поверхности, сутствие энергетич. затрат на подогрев и безынерци-
особенно если они неметаллич. происхождения (напр., ОЕНОСТЬ. Металлич. автоэлектронные эмиттеры (обычно
нек-рых органич. молекул, к-рые играют роль вол- Многоострийные) применяются в мощных сильноточ-
новодов для электронных волн). ных устройствах. Нелинейность вольт-амперной ха-
Отбор тока при низких темп-pax приводит к нагре- рактеристики используется в устройствах СВЧ (пре-ванию эмиттера, т. к. уходящие электроны уносят образователи частоты, усилители, детекторы сигна-энергию в ср. меньшую, чем энергия Ферми <?/?, лов). Автоэмиссионный эмиттер в качестве дштенсив-тогда как вновь поступающие в металл через контакт тюго точечного источника электронов применяется в электроны имеют энергию £р (Н о т т и н г е м а эф- растровых микроскопах. Он перспективен в рентгенов-ф е к т). С возрастанием Т нагрев сменяется охлаж- ской и обычной электронной микроскопии, в рентге-дением ≈ эффект меняет знак, проходя через т. н, новской дефектоскопии, в рентгеновских микроанали-темп-ру инверсии, соответствующую симметричному заторах и электронно-лучевых приборах. Автоэмисси-относителъно уровня Ферми распределению вышедших онные эмиттеры могут также употребляться в микроэлектронов по полным энергиям. При больших Т-, электронных устройствах и в чувствит, индикаторах когда эмиттер разогревается за сч╦т джоулевых по- изменения напряжения.
тсрь, инверсия эффекта Ноттингема в нек-рых преде- Автоэлектронный катод в сочетании с анодом, сов-
лах препятствует лавинному саморазогрсву и стабили- мешенным с люминесцирующим экраном, превращает
зирует А, э. такой автоэмиссионный диод в эмиссионный электрон-
А. э. из полупроводников. Особенности А. э. из по- ный микроскоп. На его экране можно .наблюдать кар-
лупроводников связаны с неск. факторами: 1) элект- тину углового распределения тока А. &. с острия при
рич. поле глубоко проникает в полупроводник, что высоких увеличениях и разрешающей способности (см.
приводит к смещению энергетич. зон, к изменению Электронный проектор].
вблизи поверхности концентрации носителей заряда Полупроводниковые автоэмиссионные эмиттеры пер-
и их энергетич. спектра; 2) концентрация электронов спекгивны как чувствит. при╦мники ИК-излучения.
во много раз меньше, чем в металле, что ограничивает Многоострийные системы эмиттеров служат основой
величину /, и она сильно зависит от внеш. воздейст- для мозаичных систем в преобразователях ИК-изоб-
вий (темп-pa, освещение и др.); 3) поверхностные со- ражений.
стояния носителей заряда могут сказываться на ха- В высоковольтных вакуумных устройствах А. э. рактеристиках А. э.; 4} вольт-амперные характери- может играть и «вредную роль», способствуя утечкам стики и энергетич. спектры автоэлектронов отражают тока, развитию вакуумного пробоя. Для нодавления зонную структуру полупроводников; 5) протекающий А э. в этих случаях снижают поле у поверхности через полупроводник ток может приводить к псрерас- электродов (уменьшая их кривизну), подбирают распределению потенциала на н╦м, а также влиять на положение электродов и распределение потенциалов, анерготич. спектр электронов. Все эти особенности а также повышают работу выхода из поверхности (под-нривлекаются для объяснения наблюдаемых вольт- бором материала или покрытия).
амперных характеристик и энергетич. спектров ав- Лит.; Е л и н с о а М. И., Васильев г, Ф.г АЕТО-
тттгртстттигт ггч Гтл vnnnnniTHMKnR влектроннад эмиссия, М,. 19581» Ф и ш е р Р., Н о и м а н X.,
lujjitAipuuu» но iiujijiipuBw^n««un. Автоэлектронная эмиссия полупроводников, пер. с нем., М.г
Автоэлектронныс эмиттеры (катоды) делают в виде 1971: Ненакаливаемые катоды, М., 1974; W о о d R. TV., A new
поверхностей С большой кривизной: острия, лезвия, form of cathode discharge and the production ox X-rays, together
тРшГг-пйятио киля Апттъг и гтлмкпк тлттм нитРЙ и with some notes °г diffraction, <-Phys. Rev.», 1897, v. 5, ╧. 1,
шероховатые края фольг и Пленок, торцы нитей И р. i; M i I I i k a n Л. A., L a u r i t s e n С. С., Temperature
т, п. Для отбора относительно больших токов исполь- dependence of field currents, там же, 1929, v. 33, М 4, p. 598;
зуют Многоострийные системы, многоэмиттерные си- F о w 1 е г R. Н., N о r d п е i m L., Electron emission in
ГТРМЫ ня кпаятс плинлк и гЬпльг и т п В чяьипшогти intense electric fields, «Proc. Roy. Soc.», 1928, ser. A, v. 119,
стемы на краях пленок ii фолы и т. п. о ^ависимисти ^ 78, р 173; G 0 0 d Rt н., М u 11 е г Е. W., Field emission,
ОТ размеров эмиттеров и расстояния до -анода напря- jn: Handbuch der Physik, Bd 21, В.≈ Gottingen ≈ Heidelberg,
жение 7, обеспечивающее величину электрич, поля Et 1956. В, Н, Шредник.
достаточную для возникновения А. э., может состав- АВТОЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП -≈ то же, что
лять от сотен В до неск, десятков кВ. электронный микроскоп.
Стабильность А. э. связана с постоянством распре- АГРЕГАТНЫЕ СОСТОЯНИЯ вещества (от лат. деления ф вдоль катода и т. н. полевого м н о- aggrego ≈ присоединяю) ≈ состояния одного и того жителя ct,= EJV Оба эти фактора мог^*г изменяться же вещества в разл. интервалах темп-р и давлений. дод влиянием адсорбции и миграции атомов или мо- Традиционно агрегатными считают газообразное, жид-декул как примесей, так и материала эмиттера. Напр,, кое и тв╦рдое состояния, переходы меадду к-рыми локальные значения ее возрастают в результате миг- сопровождаются скачкообразными изменениями свобод-раций поверхностных атомов под действием сильного ной энергии вещества, энтропии, плотности и др. физ. электрич. поля (перестройка в поле) или в результате характеристик. С увеличением темп-ры газов при «изъязвления» поверхности при ионной бомбарди- фиксир. давлении они переходят в состояние частично, ровке. Повышение стабильности А. э. достигается а затем полностью ионизованной плазмы, к-рую такжо улучшением вакуума, очисткой эмиттера, использо- принято считать А, с, С увеличением давления (в ванием импульсного напряжения (для ослабления зв╦здах) вещество переходит в состояние вырожден-шграции атомов в электрич, поле и саморазогрева ной плазмы, нейтронной жидкости и т. д. эмиттера), умеренным подогревом эмиттера (для за- Понятие А. с. не является точно определ╦нным, щиты от адсорбции и для «заглаживания» дефектов более точным является понятие фазы. в местах удара ионов), применением слабо адсорбиру- АДАПТИВНАЯ АНТЕННА (от лат. adapto ≈ приспо-ющих материалов (нек-рые карбиды, бориды, нитриды собляю, прилаживаю) ≈ разновидность антенны с металлов, углерод). Исследование А. э. из монокри- обработкой сигналов^ предназначенная для максими-
Ш
X
")
}
